H5PS1G83JFR-S5CR 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高带宽内存(HBM, High Bandwidth Memory)芯片。该芯片采用先进的3D堆叠封装技术,将多个DRAM芯片垂直堆叠在一起,通过硅通孔(TSV, Through Silicon Via)技术实现高速互连,以提供极高的内存带宽和紧凑的封装体积。这款HBM芯片主要面向高性能计算(HPC)、图形处理(GPU)、人工智能(AI)加速器和高端游戏显卡等需要大量数据吞吐能力的应用场景。
容量:1GB(1G x 8)
电压:1.2V
频率:1000MHz
带宽:128GB/s
封装形式:FC-BGA
封装尺寸:50mm x 35mm
引脚数量:1024-ball
工艺制程:未明确公开,预计为20nm级或以下
工作温度:0°C ~ 95°C
H5PS1G83JFR-S5CR 具备多项先进的技术特性。首先,它采用了HBM2标准,提供高达128GB/s的内存带宽,显著高于传统GDDR5或DDR4内存,满足高性能GPU和AI加速器的数据吞吐需求。
其次,该芯片使用3D堆叠封装技术,通过TSV实现芯片间的高速连接,从而在极小的物理空间内实现高容量和高带宽,有助于降低显卡和计算设备的整体功耗与尺寸。
此外,该芯片具有低功耗设计,核心电压为1.2V,相比前代HBM产品在能效方面有显著提升,适用于对功耗敏感的高端计算平台。
其封装尺寸为50mm x 35mm,包含1024个球栅阵列(BGA)引脚,与支持HBM2的GPU或FPGA等主控芯片直接连接,确保稳定的数据传输性能。
该芯片还具备良好的散热设计,能够在0°C至95°C的宽温度范围内稳定运行,适用于各类高密度计算设备。
H5PS1G83JFR-S5CR 主要用于高性能图形处理和计算加速领域。例如,它广泛应用于高端独立显卡(如NVIDIA和AMD的旗舰级GPU),为4K/8K视频渲染、3D建模、实时光线追踪等任务提供强大的内存支持。
在人工智能和深度学习领域,该芯片为AI训练和推理提供高速内存访问能力,特别适用于需要大规模并行计算的应用场景。
此外,该芯片也用于高性能计算(HPC)系统、数据中心加速器、高端游戏主机以及专业工作站,以满足对内存带宽和容量有极高要求的计算任务。
由于其紧凑的设计和出色的能效比,H5PS1G83JFR-S5CR 也适用于嵌入式系统和工业级计算平台,如自动化视觉检测系统、边缘计算设备以及高性能网络设备。
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