时间：2025/9/7 7:17:42
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H5N5016 是一种由Hynix（现为SK Hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，广泛用于计算机内存、嵌入式系统以及工业控制设备中。该芯片的容量为16MB，通常用于提供高速数据存储与访问功能。H5N5016 是一种常见的内存模块，适用于需要中等容量存储的系统设计。
容量：16MB
数据宽度：16位
电压：3.3V
封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
时钟频率：最大166MHz
访问时间：5.4ns
组织结构：1M x 16
刷新周期：64ms
封装尺寸：54引脚TSOP
H5N5016 采用先进的CMOS工艺制造，具有低功耗、高性能的特点，适合在各种嵌入式和工业应用中使用。其16位数据宽度设计使其适用于需要较高数据吞吐量的应用场景。该芯片支持自动刷新和自刷新模式，有助于降低功耗并延长数据保持时间。
该DRAM芯片的高速访问时间和低延迟特性使其非常适合用于需要快速数据存取的场合，如图像处理、数据缓存和实时控制系统。此外，H5N5016 的TSOP封装形式使其易于集成到PCB设计中，并具有良好的散热性能。
为了确保数据的完整性，H5N5016 支持标准的DRAM控制信号，包括行地址选通（RAS）、列地址选通（CAS）和写使能（WE）。其兼容JEDEC标准的引脚排列设计使得它可以方便地与其他控制器和处理器进行接口。
H5N5016 通常用于工业计算机、通信设备、网络路由器、图像处理设备、嵌入式控制系统、医疗设备以及消费类电子产品中。其主要作用是作为主存储器或缓存存储器，为系统提供高速数据访问能力。
HY57V161610BTC-6A, KM416S1610CT-B6, CY7C1361BV25-166BZS
