制造商: SK hynix
　　产品类型: 动态随机存取存储器 (DRAM)
　　系列: LPDDR4
　　存储容量: 2 Gb
　　组织结构: x32
　　电压供应: 1.1V / 1.8V
　　接口类型: 并行
　　数据速率: 高达 3200 Mbps
　　封装类型: FBGA
　　引脚数量: 168
　　工作温度范围: -40°C 至 +85°C

H5MS2G32AFR-E3M 是一款先进的LPDDR4 SDRAM芯片，具备高性能和低功耗的特性，非常适合用于现代便携式设备和高性能计算系统。该芯片采用了先进的DRAM技术，支持高速数据传输，并能够在较低的电压下运行，从而减少整体功耗并延长设备电池寿命。
　　这款DRAM芯片的存储容量为2 Gb，采用x32位的组织结构，使得数据传输更加高效。其支持高达3200 Mbps的数据速率，确保了在多任务处理、高清视频播放和图形密集型应用中的流畅性能。
　　H5MS2G32AFR-E3M 使用1.1V和1.8V双电压供电，进一步优化了功耗管理，适用于需要长时间运行的移动设备，如智能手机、平板电脑以及嵌入式计算系统。此外，该芯片的封装形式为168引脚的FBGA（细间距球栅阵列），提供了良好的散热性能和电气性能，确保在高负载条件下依然稳定可靠。
　　该芯片还集成了多种先进的DRAM技术，包括温度补偿自刷新（TCSR）、深度电源关闭（DPD）和部分阵列自刷新（PASR）等低功耗功能，进一步增强了其在复杂应用场景中的适应性和能效。

H5MS2G32AFR-E3M 主要用于高性能移动设备，如高端智能手机和平板电脑。此外，它也适用于嵌入式系统、工业控制设备、车载信息娱乐系统（IVI）以及便携式医疗设备等需要高效能和低功耗内存的场景。

H5MS2G32EFR-E3M