FBR46ND005-P 时间：2025/8/9 4:48:20 阅读：17

FBR46ND005-P是一款由STMicroelectronics生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高频率开关应用设计，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达控制以及各种工业和消费类电子设备中。FBR46ND005-P采用了先进的沟槽栅技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关特性，有助于降低系统损耗并提高整体效率。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　封装类型：TO-220
　　最大漏极电流（Id）：60A
　　最大漏源电压（Vds）：55V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大5mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Ptot）：160W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　引脚数：3
　　安装方式：通孔（Through Hole）
　　极性：N沟道增强型

特性

FBR46ND005-P具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）显著降低了在高电流条件下的导通损耗，从而提高了系统的整体效率。其次，该MOSFET采用先进的沟槽栅结构，不仅提升了开关速度，还降低了开关损耗，使其非常适合高频开关应用。
　　此外，FBR46ND005-P具备高耐压特性，漏源击穿电压为55V，能够承受较高的电压应力，增强了器件在复杂工作环境中的可靠性。该器件的最大连续漏极电流可达60A，适用于大功率负载的控制。
　　在封装方面，TO-220封装提供了良好的散热性能，有助于器件在高功率密度环境下稳定工作。同时，该封装也便于安装和散热片连接，适用于多种工业级应用。FBR46ND005-P的工作温度范围为-55°C至+175°C，具备良好的热稳定性，适用于严苛环境下的运行。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，支持常见的10V或12V驱动电路，兼容多种标准驱动IC。此外，其快速的开关特性和低门极电荷（Qg）也使得该器件在PWM控制应用中表现出色，有助于减小开关损耗并提高系统效率。

应用

FBR46ND005-P适用于多种高功率和高效率的应用场景。在电源管理领域，该器件可用于同步整流、DC-DC降压/升压转换器、电池充电电路等，提供高效的能量转换。在工业自动化和控制系统中，FBR46ND005-P可用于马达驱动、负载开关、继电器替代方案等，提升系统响应速度和稳定性。
　　在汽车电子方面，该MOSFET可应用于车载电源系统、电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）等，满足汽车环境对高可靠性和高耐压的需求。此外，FBR46ND005-P还可用于太阳能逆变器、UPS不间断电源、LED照明驱动电路等应用，提供高效的功率控制解决方案。
　　消费类电子产品中，如高性能笔记本电脑、平板电脑、游戏机等设备的电源管理系统，FBR46ND005-P也能发挥出色的性能。其高效率和低发热特性有助于延长设备的续航时间并提升整体系统稳定性。