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H5MS2G22BFR-E3M 发布时间 时间:2025/9/2 9:54:07 查看 阅读:14

H5MS2G22BFR-E3M 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款芯片属于高密度、高性能的DRAM产品系列,广泛用于需要大容量内存和高速数据处理的电子设备中。该型号属于GDDR5 SDRAM(Graphics Double Data Rate 5 Synchronous Dynamic Random Access Memory)类型,主要用于图形处理单元(GPU)、高端显卡、游戏主机以及其他需要高带宽内存的应用场景。H5MS2G22BFR-E3M 的设计旨在提供高速数据传输速率和较低的功耗,使其成为高性能计算和图形处理领域的理想选择。

参数

容量:2 Gbit
  组织结构:x32
  电压:1.5V 标准,1.35V 低电压版本
  接口类型:GDDR5 SDRAM
  最大时钟频率:1500 MHz
  数据速率:6 Gbps
  封装类型:FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)
  引脚数:170
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  数据预取:8n 预取架构
  数据校准功能:支持写入校准和读取校准
  封装尺寸:12mm x 14mm
  JEDEC标准兼容:是

特性

H5MS2G22BFR-E3M 是一款高性能的GDDR5 SDRAM芯片,具备多项先进特性,以满足现代图形处理和高性能计算的需求。首先,其6 Gbps的数据速率确保了极高的带宽性能,能够有效支持复杂的图形渲染任务和大规模数据处理应用。该芯片采用了8n预取架构,通过提高数据传输效率来降低延迟,从而提升整体系统性能。
  其次,H5MS2G22BFR-E3M 支持多种数据校准功能,包括写入校准(Write Calibration)和读取校准(Read Calibration),这些功能有助于优化数据传输的稳定性与可靠性,尤其是在高频操作下。此外,该芯片支持1.5V标准电压和1.35V低电压版本,能够在保证性能的同时降低功耗,适用于对能效要求较高的设备。
  封装方面,H5MS2G22BFR-E3M 采用170引脚的FBGA封装,尺寸为12mm x 14mm,具有良好的散热性能和空间利用率,适合高密度PCB布局。该芯片还符合JEDEC标准,确保了与其他系统组件的兼容性和互操作性。
  最后,H5MS2G22BFR-E3M 支持宽广的工作温度范围(-40°C 至 +85°C),适用于工业级和嵌入式应用,确保在各种环境条件下稳定运行。

应用

H5MS2G22BFR-E3M 主要应用于需要高性能图形处理和高带宽内存的电子设备中。首先,该芯片广泛用于独立显卡(GPU)和集成显卡系统中,作为图形缓存存储器,用于存储和快速访问纹理、帧缓冲区和其他图形数据。由于其6 Gbps的高数据速率,H5MS2G22BFR-E3M 能够显著提升图形渲染性能,适用于高端游戏、虚拟现实(VR)和增强现实(AR)等应用场景。
  其次,H5MS2G22BFR-E3M 还被用于游戏主机(如PlayStation和Xbox)和高性能计算(HPC)系统中,作为主内存或图形内存,支持复杂的数据处理和实时渲染任务。其低功耗特性和1.35V低电压版本也使其适用于对能效要求较高的移动设备和嵌入式系统。
  此外,该芯片还可用于网络设备、视频编辑系统、工业控制系统和高端消费电子产品中,提供快速的数据访问和处理能力。其工业级工作温度范围(-40°C 至 +85°C)也使其适用于恶劣环境下的稳定运行,如工业自动化和车载电子系统。

替代型号

H5MS2G22EFR-E3M, H5MS2G22AFR-E3M, H5MS2G22BFR-E4M, H5MS2G22BFR-E3C

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