您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > H5MS2622JFR-J3MR-C

H5MS2622JFR-J3MR-C 发布时间 时间:2025/9/2 7:32:23 查看 阅读:2

H5MS2622JFR-J3MR-C 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,主要用于高性能计算、服务器、网络设备和图形处理等对内存性能要求较高的应用领域。该型号属于DDR5 SDRAM系列,具有较大的存储容量和较高的数据传输速率。

参数

容量:32Gb(4GB x 8)
  类型:DDR5 SDRAM
  封装类型:FBGA
  电压:1.1V
  工作温度:0°C 至 +85°C
  封装尺寸:13mm x 15mm
  数据速率:6400Mbps
  位宽:x8
  时钟频率:3200MHz

特性

H5MS2622JFR-J3MR-C 采用先进的DRAM制造工艺,具备低功耗、高带宽和高密度存储能力。其DDR5接口支持更高的数据传输速率,同时降低了工作电压,从而提高了能效。
  该芯片支持先进的错误检测与纠正技术(ECC),确保数据传输的可靠性和系统的稳定性,适用于高要求的服务器和工作站环境。
  此外,该DRAM芯片具备良好的散热性能和抗干扰能力,能够在高温和复杂电磁环境下稳定运行,满足工业级应用的需求。
  其FBGA封装形式不仅减小了封装尺寸,还提高了封装的可靠性,适合高密度PCB布局和小型化设备的设计需求。

应用

H5MS2622JFR-J3MR-C 主要应用于高性能计算系统、企业级服务器、网络基础设施设备、图形工作站、人工智能加速卡以及高端游戏设备等场景。由于其高速率、大容量和低功耗的特性,特别适合需要大量内存带宽和稳定性的系统设计。
  在服务器和数据中心中,该芯片可用于提升内存子系统的性能和能效,支持大规模并发计算和数据处理任务。
  在图形处理和AI加速应用中,H5MS2622JFR-J3MR-C 提供的高带宽内存支持可以显著提升数据吞吐能力,加速深度学习模型训练和推理过程。
  此外,该芯片也适用于高端消费类电子产品,如高性能笔记本电脑和游戏主机,提供流畅的多任务处理和多媒体体验。

替代型号

H5MS2622JFR-J3MA-C, H5MS2622JFR-J4MR-C, H5MS2622JFR-J3MR

H5MS2622JFR-J3MR-C推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价