H5MS2562JFR-E3M是Hynix(现为SK Hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高密度、高性能的存储器产品系列。这款DRAM芯片采用FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)封装,适用于对存储容量和速度有较高要求的应用场景。其主要特点是高速存取、低功耗设计以及良好的稳定性,适用于多种电子设备,如工业控制系统、嵌入式系统、网络设备和消费类电子产品。
容量:256MB
类型:DRAM
封装:FBGA
工作电压:2.3V - 3.6V
接口类型:异步
最大工作频率:55MHz
数据宽度:16位
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装尺寸:54-ball FBGA
H5MS2562JFR-E3M 是一款异步DRAM芯片,具有良好的兼容性和稳定性,适用于多种应用场景。该芯片支持异步操作,允许数据在没有固定时钟信号的情况下进行读写,提高了系统的灵活性。其256MB的存储容量适合中等规模的数据存储需求,同时16位的数据宽度确保了较高的数据传输效率。芯片的低功耗设计使其在便携式设备和电池供电系统中表现优异。
此外,H5MS2562JFR-E3M 支持宽电压范围(2.3V 至 3.6V),这使其能够在不同电源条件下稳定运行,适用于多种电源管理系统。其工作温度范围为-40°C至+85°C,确保在恶劣环境条件下也能保持良好的性能,适用于工业级和汽车电子应用。
封装方面,该芯片采用54-ball FBGA封装,具有较小的封装尺寸和较高的引脚密度,适合高密度PCB布局设计,同时有助于减少电磁干扰(EMI)和提高信号完整性。
H5MS2562JFR-E3M 适用于多种电子设备和系统,包括但不限于工业控制系统、嵌入式系统、消费类电子产品、网络设备以及汽车电子系统。由于其宽电压范围和工业级工作温度,该芯片特别适合用于需要高可靠性和稳定性的应用场景,如工业自动化设备、车载信息娱乐系统、安防监控设备以及智能家电等。此外,该芯片还可用于手持设备和便携式电子产品,提供高效、稳定的存储解决方案。
H5MS2562JFR-E3C
H5MS2562JBR-E3M
IS61LV25616-55BLLI