H5MS2562JFR-E3M 时间：2025/9/2 4:35:24 阅读：20

H5MS2562JFR-E3M是Hynix（现为SK Hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高密度、高性能的存储器产品系列。这款DRAM芯片采用FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装，适用于对存储容量和速度有较高要求的应用场景。其主要特点是高速存取、低功耗设计以及良好的稳定性，适用于多种电子设备，如工业控制系统、嵌入式系统、网络设备和消费类电子产品。

参数

容量：256MB
　　类型：DRAM
　　封装：FBGA
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　接口类型：异步
　　最大工作频率：55MHz
　　数据宽度：16位
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装尺寸：54-ball FBGA

特性

H5MS2562JFR-E3M 是一款异步DRAM芯片，具有良好的兼容性和稳定性，适用于多种应用场景。该芯片支持异步操作，允许数据在没有固定时钟信号的情况下进行读写，提高了系统的灵活性。其256MB的存储容量适合中等规模的数据存储需求，同时16位的数据宽度确保了较高的数据传输效率。芯片的低功耗设计使其在便携式设备和电池供电系统中表现优异。
　　此外，H5MS2562JFR-E3M 支持宽电压范围（2.3V 至 3.6V），这使其能够在不同电源条件下稳定运行，适用于多种电源管理系统。其工作温度范围为-40°C至+85°C，确保在恶劣环境条件下也能保持良好的性能，适用于工业级和汽车电子应用。
　　封装方面，该芯片采用54-ball FBGA封装，具有较小的封装尺寸和较高的引脚密度，适合高密度PCB布局设计，同时有助于减少电磁干扰（EMI）和提高信号完整性。

应用

H5MS2562JFR-E3M 适用于多种电子设备和系统，包括但不限于工业控制系统、嵌入式系统、消费类电子产品、网络设备以及汽车电子系统。由于其宽电压范围和工业级工作温度，该芯片特别适合用于需要高可靠性和稳定性的应用场景，如工业自动化设备、车载信息娱乐系统、安防监控设备以及智能家电等。此外，该芯片还可用于手持设备和便携式电子产品，提供高效、稳定的存储解决方案。