时间：2025/9/2 10:50:01
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H5MS1G62BFR-E3M 是由SK hynix生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款芯片是一款高密度、高性能的存储解决方案，广泛应用于计算机、工业设备、嵌入式系统和网络设备等领域。该型号为128Mbit（1Gbit）容量的DRAM芯片，采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装形式，适用于对内存性能和可靠性要求较高的应用场景。
容量：128Mbit（1Gbit）
类型：DRAM
封装形式：FBGA
引脚数：54pin
工作电压：1.7V - 3.3V
数据宽度：x16
工作温度：-40°C ~ +85°C
时钟频率：最大166MHz
访问时间：5.4ns
封装尺寸：54mm x 36mm
制造工艺：CMOS
H5MS1G62BFR-E3M具有高性能和低功耗的特点，采用了先进的CMOS制造工艺，能够在广泛的工作温度范围内稳定运行，适用于工业级和商业级应用。该芯片支持异步和同步操作模式，具备灵活的控制信号，如CE（Chip Enable）、OE（Output Enable）和WE（Write Enable），可方便地与各种控制器或处理器进行接口。其高速访问时间和高频率特性使其适用于需要快速数据处理的场景，例如图形处理、通信设备和高性能计算模块。
此外，H5MS1G62BFR-E3M的封装设计优化了空间利用率，便于在高密度PCB布局中使用。该芯片的高可靠性和稳定性使其成为工业自动化设备、网络路由器、存储扩展模块和嵌入式系统中的理想选择。其低功耗设计也有助于延长便携设备的电池寿命，并降低整体系统的发热量。
该芯片主要应用于需要大容量存储和高速数据访问的设备中，如个人电脑、服务器、嵌入式系统、工业控制设备、网络交换设备、通信设备以及各种便携式电子产品。由于其宽温工作范围和高稳定性，H5MS1G62BFR-E3M也适用于恶劣环境下的工业应用，例如自动化控制、车载电子系统、医疗设备和安防监控设备。
H5MS1G62EFR-E3M, H5MS1G62AMR-E3M, H5MS1G62AFR-E3M
