D2250是一款N沟道功率MOSFET晶体管,广泛应用于需要高电流和高电压控制的电路中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适合用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等高频开关应用。D2250通常采用TO-220或TO-252等封装形式,便于散热和安装。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):100V
最大漏极电流(Id):70A
导通电阻(Rds(on)):约3.5mΩ(典型值)
栅极阈值电压(Vgs(th)):2V~4V
最大功耗(Pd):160W
工作温度范围:-55℃~+175℃
封装形式:TO-220、TO-252等
D2250具有极低的导通电阻,使其在高电流应用中损耗更小,效率更高。其高电流承载能力和耐压能力使其适合用于大功率系统。该MOSFET具备快速开关特性,适合用于高频开关电源和PWM控制应用。此外,D2250的封装设计有助于有效散热,确保在高负载条件下仍能稳定运行。该器件还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性,提高了整体系统的可靠性和耐用性。
在实际应用中,D2250的栅极驱动要求较低,能够在较低的栅极电压下实现完全导通,降低了驱动电路的设计难度。其优异的热性能也使其在高温环境下仍能保持稳定的工作状态,适合工业级和汽车电子应用场合。
D2250广泛应用于各类功率电子设备中,如大功率开关电源、DC-DC降压/升压转换器、H桥电机驱动电路、LED驱动电源、电池管理系统(BMS)、逆变器以及各类自动化控制设备。由于其高可靠性和优异的导通性能,也常用于电动汽车、太阳能逆变器和工业自动化控制系统中的高电流开关场合。
IRF1405, AUIRF1405, SiR140DP, FDP1405