存储类型：DRAM
　　工艺技术：移动型低功耗DRAM (LPDRAM)
　　容量：1Gb
　　数据总线宽度：x16
　　电压：1.5V / 1.35V
　　封装：FBGA
　　封装尺寸：100-ball
　　温度范围：商业级（0°C 至 85°C）
　　时钟频率：最高可达200MHz
　　数据速率：400Mbps

H5MS1G22MFP-K3M 的主要特性之一是其低功耗设计，这使得它非常适合用于电池供电的移动设备。其低电压操作（1.35V或1.5V）有效降低了功耗，延长了设备的续航时间。此外，该DRAM芯片支持多种电源管理模式，包括自刷新模式和深度掉电模式，从而进一步优化能耗。
　　该芯片还具备高性能的数据传输能力，其数据速率可达400Mbps，能够满足对数据处理速度要求较高的应用需求。其16位数据总线宽度提供了较宽的数据通道，提升了系统的整体数据吞吐量。
　　在封装方面，H5MS1G22MFP-K3M 使用了100-ball FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装技术，这种封装方式具有更小的体积和更高的引脚密度，有利于提高PCB布局的灵活性并减少电路板空间占用。同时，该封装也提供了良好的电气性能和散热能力。
　　此外，该DRAM芯片支持宽温度范围（商业级0°C至85°C），确保其在各种工作环境下的稳定性和可靠性。

H5MS1G22MFP-K3M 主要应用于需要高性能与低功耗平衡的移动设备。例如，它可以用于智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、可穿戴设备以及移动计算平台等。由于其较高的数据传输速率和低电压特性，该芯片也适用于需要高效能处理和节能运行的嵌入式系统。此外，它还可用于一些工业级和消费级电子产品中，如多媒体播放器、导航设备和移动热点设备等。在这些应用中，H5MS1G22MFP-K3M 能够提供快速的数据存取和稳定的工作性能，有助于提升设备的整体用户体验。

H5MS1G22EFR-K3C, H5MS1G22FFP-K3C