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H5MS1G22BFR-J3M 发布时间 时间:2025/9/2 9:07:20 查看 阅读:8

H5MS1G22BFR-J3M是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,主要用于嵌入式系统和高性能计算设备。这款DRAM芯片采用了GDDR5技术,具备高带宽和低延迟的特点,适用于图形处理、嵌入式应用以及需要高速数据传输的场景。H5MS1G22BFR-J3M采用了168-ball FBGA封装,使其在空间受限的设备中依然能够提供出色的性能。

参数

容量:1Gb(128MB)
  类型:GDDR5 SDRAM
  数据速率:2.0Gbps
  电压:1.5V(VDD)/ 1.5V(VDDQ)
  封装类型:168-ball FBGA
  接口:x16
  时钟频率:1000MHz
  工作温度范围:-40°C至+85°C

特性

H5MS1G22BFR-J3M采用了先进的GDDR5技术,具备高达2.0Gbps的数据传输速率,使其在图形处理和高速数据传输场景中表现出色。该芯片采用了低电压设计(1.5V),有助于降低功耗并提高系统的能效。其168-ball FBGA封装不仅节省空间,还提供了良好的热管理和电气性能,适合在嵌入式系统和高性能计算设备中使用。此外,该芯片支持宽温度范围(-40°C至+85°C),确保在各种环境条件下都能稳定运行。
  H5MS1G22BFR-J3M的x16接口设计允许更高的带宽利用率,适用于需要高吞吐量的应用场景,如GPU内存、网络设备和工业控制系统。该芯片还具备出色的信号完整性,通过优化的I/O设计减少了信号干扰,从而提高了整体系统性能。此外,该器件符合RoHS标准,支持环保制造流程,适用于现代绿色电子产品设计。

应用

H5MS1G22BFR-J3M广泛应用于高性能图形处理系统,如独立显卡、嵌入式GPU模块和游戏主机。它也适用于工业计算机、网络交换设备、视频监控系统和高端消费电子产品。由于其高带宽和低延迟特性,这款DRAM芯片非常适合用于需要实时数据处理的应用,如图像识别、AI推理和高速缓存存储。

替代型号

H5MS1G22BFR-J3C, H5MS1G22EFR-J3M, H5MS1G22BFR05A-J3M

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