BLP025N10-B 是一款基于 MOSFET 技术的 N 沟道功率场效应晶体管(Power MOSFET),由知名半导体制造商生产。该器件主要设计用于开关和负载驱动应用,具备低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度的特点,适用于工业控制、电源管理以及汽车电子等领域。
BLP025N10-B 采用 TO-263 封装形式,提供出色的散热性能和电气特性,使其能够胜任多种高功率需求的应用场景。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:25A
导通电阻:4.8mΩ
栅极电荷:37nC
开关时间:开通延迟时间 13ns,关断下降时间 29ns
功耗:250W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
BLP025N10-B 的主要特点是其卓越的导通效率和热稳定性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on))在高电流应用场景中显著减少了功率损耗。
2. 快速开关性能使得它非常适合高频开关电源和脉宽调制(PWM)控制器。
3. 具备良好的雪崩击穿能力,增强了器件的鲁棒性。
4. 高温工作能力使其能够在严苛的环境下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子产品中。
BLP025N10-B 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
2. 直流电机驱动和控制电路。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统。
5. 太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统中的功率转换模块。
6. 各种需要高性能功率开关的场合,如 LED 驱动和音频放大器保护电路。
BLP025N10LSG, IRF260N, FDP025N10AS