时间：2025/6/3 18:36:13
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BLP025N10-B 是一款基于 MOSFET 技术的 N 沟道功率场效应晶体管（Power MOSFET），由知名半导体制造商生产。该器件主要设计用于开关和负载驱动应用，具备低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度的特点，适用于工业控制、电源管理以及汽车电子等领域。
BLP025N10-B 采用 TO-263 封装形式，提供出色的散热性能和电气特性，使其能够胜任多种高功率需求的应用场景。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：25A
导通电阻：4.8mΩ
栅极电荷：37nC
开关时间：开通延迟时间 13ns，关断下降时间 29ns
功耗：250W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
BLP025N10-B 的主要特点是其卓越的导通效率和热稳定性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）在高电流应用场景中显著减少了功率损耗。
2. 快速开关性能使得它非常适合高频开关电源和脉宽调制（PWM）控制器。
3. 具备良好的雪崩击穿能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 高温工作能力使其能够在严苛的环境下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
BLP025N10-B 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关元件。
2. 直流电机驱动和控制电路。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统。
5. 太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统中的功率转换模块。
6. 各种需要高性能功率开关的场合，如 LED 驱动和音频放大器保护电路。
BLP025N10LSG, IRF260N, FDP025N10AS
