H5MS1G22BFR-E3 时间：2025/9/1 16:59:14 阅读：16

H5MS1G22BFR-E3是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的128MB SDRAM（同步动态随机存取存储器）芯片，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域。该芯片采用BGA（球栅阵列）封装，具有高性能、低功耗和稳定性强等特点。该型号的存储容量为128MB，组织形式为x16位，工作电压为2.3V至3.6V，适用于多种嵌入式系统和存储扩展需求。

参数

容量：128MB
　　组织结构：x16位
　　封装类型：BGA
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　接口类型：SDRAM接口
　　最大访问时间：5.4ns
　　最大频率：166MHz
　　数据速率：166MHz

特性

H5MS1G22BFR-E3是一款具备高稳定性和低功耗特性的SDRAM芯片，适用于多种工业和消费类电子设备。其主要特性包括：
　　? 宽电压工作范围：支持2.3V至3.6V的工作电压，提高了在不同系统环境中的兼容性。
　　? 高速性能：最高可达166MHz的工作频率，满足高速数据存取需求。
　　? 低功耗设计：适用于对功耗敏感的应用场景，如手持设备和嵌入式系统。
　　? 高集成度：采用BGA封装技术，提供高密度的存储解决方案，同时节省PCB空间。
　　? 工业级温度范围：支持-40°C至+85°C的工作温度，适用于工业控制和车载系统等严苛环境。
　　? 同步操作：支持SDRAM同步接口，提升系统的整体性能和响应速度。

应用

H5MS1G22BFR-E3广泛应用于多种需要中等容量存储的电子系统中，包括：
　　? 嵌入式系统：如工业控制设备、智能仪表和自动化设备。
　　? 通信设备：用于路由器、交换机和无线基站等设备中的缓存和主存。
　　? 消费电子产品：如数码相机、便携式媒体播放器和智能家电。
　　? 医疗设备：用于医疗监测仪器和便携式诊断设备。
　　? 车载系统：包括车载娱乐系统和车载导航系统等。