H5MS1G22BFR-E3是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的128MB SDRAM(同步动态随机存取存储器)芯片,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域。该芯片采用BGA(球栅阵列)封装,具有高性能、低功耗和稳定性强等特点。该型号的存储容量为128MB,组织形式为x16位,工作电压为2.3V至3.6V,适用于多种嵌入式系统和存储扩展需求。
容量:128MB
组织结构:x16位
封装类型:BGA
电源电压:2.3V - 3.6V
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
接口类型:SDRAM接口
最大访问时间:5.4ns
最大频率:166MHz
数据速率:166MHz
H5MS1G22BFR-E3是一款具备高稳定性和低功耗特性的SDRAM芯片,适用于多种工业和消费类电子设备。其主要特性包括:
? 宽电压工作范围:支持2.3V至3.6V的工作电压,提高了在不同系统环境中的兼容性。
? 高速性能:最高可达166MHz的工作频率,满足高速数据存取需求。
? 低功耗设计:适用于对功耗敏感的应用场景,如手持设备和嵌入式系统。
? 高集成度:采用BGA封装技术,提供高密度的存储解决方案,同时节省PCB空间。
? 工业级温度范围:支持-40°C至+85°C的工作温度,适用于工业控制和车载系统等严苛环境。
? 同步操作:支持SDRAM同步接口,提升系统的整体性能和响应速度。
H5MS1G22BFR-E3广泛应用于多种需要中等容量存储的电子系统中,包括:
? 嵌入式系统:如工业控制设备、智能仪表和自动化设备。
? 通信设备:用于路由器、交换机和无线基站等设备中的缓存和主存。
? 消费电子产品:如数码相机、便携式媒体播放器和智能家电。
? 医疗设备:用于医疗监测仪器和便携式诊断设备。
? 车载系统:包括车载娱乐系统和车载导航系统等。
H5MS1G22AFR-E3
H5MS1G22BFR-E4
H5MS1G22CFR-E3