时间：2025/9/1 21:56:34
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H5MS1222EFP-K3M 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动DRAM类别，通常用于移动设备、嵌入式系统以及其他对功耗和尺寸有严格要求的应用场景。该型号的内存容量、电压要求和封装形式均针对低功耗高性能应用场景进行了优化。
容量：128MB
数据宽度：16位
电压：1.8V
封装类型：FBGA
引脚数：54
工作温度范围：-40°C至85°C
H5MS1222EFP-K3M 具备低功耗特性，非常适合用于电池供电设备，如智能手机、平板电脑和便携式电子设备。该芯片采用先进的DRAM技术，确保了较高的数据传输速率和稳定性。
这款DRAM芯片支持自动刷新功能，可以在不增加系统功耗的情况下保持数据完整性，延长设备的电池寿命。此外，其紧凑的FBGA封装形式使得在空间受限的设计中实现高密度内存配置成为可能。
在性能方面，H5MS1222EFP-K3M 提供了可靠的数据存储解决方案，能够在广泛的温度范围内稳定运行（-40°C至85°C），适合工业级应用环境。其16位数据宽度设计也有助于提高数据吞吐量，满足高性能嵌入式系统的需求。
该芯片主要应用于移动通信设备，如智能手机和平板电脑，以及各种嵌入式系统，例如工业控制设备、便携式医疗设备和智能穿戴设备等。其低功耗和小尺寸特性使其在需要长时间运行和空间受限的应用中尤为适用。
H5MS1G12EFR-K3C, H5MS1222EFP-K3D
