类型：LPDDR4 SDRAM
　　容量：8GB（该型号通常以多颗封装或PoP形式出现）
　　数据速率：4266 Mbps（具体取决于设备配置）
　　工作电压：1.1V（核心电压VDD）和0.6V（I/O电压VDDQ）
　　封装类型：FBGA
　　位宽：x16或x32（取决于具体配置）
　　温度范围：-40°C至+85°C
　　时钟频率：2133MHz
　　接口标准：JEDEC JESD209-4

H5GQ8H24MJR-R4CR 是一款先进的移动内存芯片，采用了LPDDR4的最新技术标准，具有以下关键特性：
　　高速传输：支持高达4266Mbps的数据传输速率，显著提高了系统的数据处理能力。这对于需要大量数据吞吐的应用（如高清视频播放、复杂游戏和多任务处理）至关重要。
　　低功耗设计：该芯片采用双电压供电（1.1V核心电压和0.6V I/O电压），相较于LPDDR3，功耗降低了大约20%，有助于延长移动设备的电池续航时间。
　　高集成度：使用先进的制造工艺，提供高密度存储解决方案，支持现代移动设备对大内存的需求。
　　稳定性与可靠性：支持自动刷新、自刷新、温度补偿自刷新等功能，确保在各种工作条件下数据的稳定性和完整性。
　　兼容性：符合JEDEC标准，适用于多种移动平台和SoC（系统级芯片）架构，便于设计和集成。
　　小型封装：采用紧凑的FBGA封装，适合空间受限的便携式设备。

H5GQ8H24MJR-R4CR 主要应用于对性能和功耗有严格要求的移动设备，包括：
　　智能手机：作为主内存用于提升多任务处理能力和大型应用的运行速度。
　　平板电脑：支持高分辨率显示和复杂的计算任务。
　　嵌入式系统：用于需要高性能内存的工业控制、车载信息娱乐系统等领域。
　　可穿戴设备：在对功耗敏感的设备中提供高性能内存支持。
　　人工智能和边缘计算设备：用于本地AI推理和数据处理任务。

H5GQ8H24ACR-R4CR, H5GQ8H24AJR-R4CR, H5GQ8H24AMR-R4CR