时间：2025/5/9 15:30:39
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BUK7Y4R8-60E是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型MOSFET，采用PowerT5-1封装形式。该器件具有低导通电阻和高效率的特性，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的电子设备中。
这款MOSFET设计用于承受较高的电压，并在高频应用中表现出优异的性能。其优化的开关特性和低损耗使其成为众多功率转换应用的理想选择。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：12.3A
导通电阻：4.8mΩ
栅极电荷：35nC
总功耗：17W
工作结温范围：-55℃至175℃
BUK7Y4R8-60E的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低传导损耗。
2. 高速开关能力，适合高频功率转换应用。
3. 具备强大的雪崩能力和耐用性，提高系统可靠性。
4. 小尺寸封装，节省PCB空间。
5. 符合RoHS标准，环保无铅。
6. 能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于严苛环境下的应用。
BUK7Y4R8-60E适用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机控制与驱动
4. 工业自动化设备
5. 电池管理系统（BMS）
6. 各种消费类电子产品中的功率管理电路
