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H5GQ2H24AFR-R2C 发布时间 时间:2025/9/1 17:22:38 查看 阅读:9

H5GQ2H24AFR-R2C是一款由SK海力士(SK Hynix)制造的高性能、低功耗LPDDR4X SDRAM内存芯片,专为移动设备和高带宽应用设计。该芯片采用先进的1ynm工艺制造,具有高密度存储能力和出色的能效表现,广泛应用于智能手机、平板电脑、高性能计算设备等领域。

参数

容量:8Gb(1GB)
  组织架构:x16
  电压:VDDQ = 0.6V,VDD = 0.8V
  接口类型:LPDDR4X
  时钟频率:最高可达4266Mbps的数据传输速率
  封装类型:FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)
  工作温度:-40°C至+85°C

特性

H5GQ2H24AFR-R2C采用了LPDDR4X技术,相比前一代LPDDR4在功耗方面有显著降低,同时数据传输速率得到了显著提升,最高可达4266Mbps,使得设备在处理高清视频、大型游戏和多任务处理时更加流畅。
  这款内存芯片还具备出色的热管理和能效优化能力,能够在保证高性能的同时维持较低的发热水平,从而延长移动设备的电池寿命。
  其x16的组织架构设计优化了数据访问效率,同时减少了芯片内部的复杂布线,提高了整体的系统集成度。
  此外,H5GQ2H24AFR-R2C支持多种低功耗模式,包括深度掉电模式、自刷新模式和预充电节能模式,确保设备在不同使用场景下都能保持最佳的能效比。
  该芯片还具备良好的兼容性和稳定性,适用于多种移动平台和嵌入式系统。

应用

H5GQ2H24AFR-R2C主要应用于高端智能手机、平板电脑、AR/VR设备、车载信息娱乐系统以及高性能嵌入式计算设备。由于其高速度和低功耗的特性,也非常适合用于需要大量数据处理能力的物联网设备和边缘计算平台。

替代型号

H5GQ2H24AMR-R2C, H5GQ2H24AFC-R2C

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