时间：2025/9/1 19:02:08
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H5GQ1H24AFR-T0CR 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一款高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其GDDR6（Graphics Double Data Rate 6）产品系列。该芯片专为高带宽需求的应用设计，常见于高端显卡、游戏主机、数据中心加速卡等需要高性能图形处理能力的设备中。
类型：GDDR6 SDRAM
容量：1GB
位宽：32-bit
频率：14Gbps
电压：1.35V（VDD）和1.5V（VDDQ）
封装：FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）
工作温度：-40°C至+85°C
H5GQ1H24AFR-T0CR 具备多种先进特性，包括高数据传输速率、低延迟和高效能功耗比。其GDDR6技术使得该芯片能够在每个时钟周期的上升沿和下降沿传输数据，从而显著提高带宽。此外，该芯片采用差分信号技术（如CK和CK#）以增强信号完整性，支持更高的频率操作。H5GQ1H24AFR-T0CR 还具备温度补偿自刷新（TCSR）功能，可在高温环境下保持数据完整性，降低功耗。其封装设计优化了PCB布局和散热性能，适用于高密度内存系统设计。
该芯片的多段预取架构（Multi-Prefetch Architecture）允许在单个时钟周期内获取多个数据字，从而进一步提升数据吞吐能力。H5GQ1H24AFR-T0CR 还支持ZQ校准功能，确保输出驱动阻抗和ODT（On-Die Termination）值的精确性，从而改善信号完整性并减少系统噪声。
H5GQ1H24AFR-T0CR 主要应用于需要高带宽内存的图形处理系统，例如高端独立显卡（如NVIDIA RTX系列或AMD Radeon系列）、游戏主机（如PlayStation 5或Xbox Series X）、AI加速卡以及高性能计算设备。此外，该芯片也可用于需要高速缓存的网络设备、服务器存储控制器以及工业级图形工作站等场景。
H5GQ1H24AMR-T2C4, H5GQ1H24AFR-T2C4, H56GQ1H24AFR-T2CR
