时间：2025/9/2 3:25:49
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H5GC8H24MJR-R0C 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，采用BGA（球栅阵列）封装，适用于高性能计算、工业设备、消费电子等多种应用场景。
类型：DRAM
容量：8Gb
封装类型：BGA
引脚数：54pin
电压：1.8V
工作温度：-40°C至85°C
数据速率：166MHz
组织结构：x16
H5GC8H24MJR-R0C 是一款低功耗、高性能的DRAM芯片，其工作电压为1.8V，能够在宽温度范围内稳定运行（-40°C至85°C），非常适合工业和嵌入式应用。该器件采用x16的组织结构，支持166MHz的数据传输速率，具备出色的稳定性和可靠性。其BGA封装形式不仅节省空间，还能提供良好的电气性能和散热能力，适用于对空间和性能有较高要求的设计。
该芯片在设计上采用了先进的CMOS工艺制造，确保了低功耗和高集成度，同时具备较高的数据吞吐能力和稳定性。它支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）功能，能够在不同工作模式下保持数据的完整性，适用于需要长时间运行的系统。此外，H5GC8H24MJR-R0C 还具备较强的抗干扰能力，适合在电磁环境复杂的应用场景中使用。
该芯片广泛应用于工业控制设备、智能终端、通信设备、车载系统、家用电器以及便携式电子产品中。由于其高可靠性和宽温工作特性，特别适合在工业自动化、嵌入式系统、数据采集设备等要求苛刻的环境中使用。此外，它也可用于消费类电子产品如智能电视、机顶盒、游戏设备等，为系统提供高效的数据存储支持。
H5GC8H24MJR-R0C的替代型号包括H5GC8H24MJR-RCB、H5GC8H24AFR-R0C、H5GC8H24AMR-R0C等，这些型号在封装、性能和电气特性方面高度兼容，可根据具体需求进行替换。
