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SMV1145-079LF 发布时间 时间:2025/8/22 6:45:01 查看 阅读:16

SMV1145-079LF 是一款由 Analog Devices 公司生产的 GaAs(砷化镓)场效应晶体管(FET)混频器芯片,广泛应用于射频和微波通信系统中。该器件采用无铅封装,符合 RoHS 标准,适用于高性能接收机和发射机中的频率转换应用。

参数

类型:GaAs FET 混频器
  工作频率范围:DC 至 12 GHz
  转换损耗:典型值 7.5 dB
  本振(LO)驱动电平:+7 dBm
  输入三阶交调截点(IIP3):+15 dBm
  封装类型:6 引脚 TSSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

SMV1145-079LF 具有宽频率响应范围,能够在 DC 至 12 GHz 的频率范围内稳定工作,适用于多种射频和微波应用。该混频器具有较低的转换损耗,典型值为 7.5 dB,能够有效提高系统灵敏度和信号处理效率。其高本振驱动电平要求(+7 dBm)确保了良好的线性度和动态范围,有助于减少信号失真。此外,该器件的输入三阶交调截点(IIP3)为 +15 dBm,表现出优异的抗干扰能力,适用于高线性度要求的通信系统。SMV1145-079LF 采用 6 引脚 TSSOP 封装,尺寸小巧,便于集成于高密度 PCB 设计中,并支持表面贴装工艺,提升了制造效率和可靠性。其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,适应各种严苛环境条件。

应用

该器件常用于无线通信设备、卫星通信系统、雷达系统、测试仪器以及工业控制系统中的频率转换电路。

替代型号

HMC438LC3B, AD831

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SMV1145-079LF参数

  • 现有数量0现货51,000Factory
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • 不同?Vr、F 时电容10.6pF @ 6V,50MHz
  • 电容比3
  • 电容比条件C1/C6
  • 电压 - 峰值反向(最大值)12 V
  • 二极管类型单路
  • 不同 Vr、F 时 Q 值300 @ 3V,50MHz
  • 工作温度-55°C ~ 125°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SC-79,SOD-523
  • 供应商器件封装SC-79