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H5DU6462CTR-E3C-C 发布时间 时间:2025/9/2 3:27:24 查看 阅读:2

H5DU6462CTR-E3C-C 是由SK hynix生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高密度、高性能存储器产品线的一部分。该型号是一种64Mbit容量的DRAM,采用CMOS技术制造,具备低功耗和高速数据访问的特点。它通常用于需要快速数据处理的电子设备中,如网络设备、工业控制、嵌入式系统和消费类电子产品。这款DRAM芯片采用小型化的TSOP(Thin Small Outline Package)封装形式,适合对空间要求较高的应用。

参数

容量:64Mbit
  组织方式:x16
  电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:5.4ns
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  时钟频率:166MHz
  数据速率:166MHz
  

特性

H5DU6462CTR-E3C-C 具备多项优秀的性能特点。首先,它的高速访问时间(5.4ns)和高达166MHz的时钟频率使其能够满足高性能系统对内存访问速度的要求。其次,该芯片支持低功倍的CMOS工艺技术,从而降低了功耗,在待机模式下电流消耗非常低,适用于需要节能设计的设备。此外,该DRAM芯片具有良好的温度适应性,能够在-40°C至+85°C的宽温度范围内稳定工作,适用于工业级和汽车级应用场景。TSOP封装不仅节省空间,而且具有良好的散热性能,有助于提高系统的稳定性和可靠性。最后,该芯片采用了标准的x16数据接口,兼容多种控制器和处理器平台,简化了系统设计和集成过程。
  该芯片还具备自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh)功能,能够在不增加系统负担的情况下维持数据完整性。这使得它非常适合用于需要长时间运行而不频繁访问内存的应用场景。H5DU6462CTR-E3C-C 还支持多种工作模式,包括快速页面模式(Fast Page Mode)和静态列地址模式(Static Column Address Mode),为系统设计提供了更大的灵活性。

应用

H5DU6462CTR-E3C-C 主要应用于需要高性能、低功耗和宽温稳定性的电子系统中。例如,该芯片广泛用于工业控制设备、嵌入式系统、通信设备(如路由器和交换机)、消费类电子产品(如智能电视、机顶盒)以及汽车电子系统。在这些应用场景中,DRAM芯片作为主存储器或缓存,承担着临时数据存储和快速访问的任务,对系统的整体性能有直接影响。由于其TSOP封装体积小巧,因此特别适合空间受限的设计。此外,其宽温特性使其能够在严苛的工业环境和车载环境中稳定运行,适用于对可靠性要求较高的应用场合。

替代型号

H5DU6462CTR-E3C-C 的替代型号包括:H5DU6462CTR-E3B-C、H5DU6462CTR-E3D-C、IS61WV6464BLL-10BLLI、CY62167EVLL-45BZS、MT48LC16M64A2B4-6A

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