制造商：SK Hynix
　　产品类型：DRAM
　　容量：512MB
　　位宽：x18
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　电压：1.8V至3.3V
　　数据传输速率：166MHz
　　封装尺寸：54-TSOP
　　技术：CMOS
　　存储器接口：并行
　　时钟频率：166MHz
　　最大访问时间：5.4ns
　　工作模式：异步

H5DU5182ETRE3C是一款异步DRAM芯片，具有较高的存储密度和较低的功耗特性，适用于多种嵌入式系统和高性能计算设备。其x18位宽设计使其适用于需要额外带宽的应用场景，如网络交换机、路由器和工业控制设备。
　　该芯片采用CMOS工艺制造，能够在1.8V至3.3V的电压范围内正常工作，具有良好的兼容性和稳定性。其TSOP封装形式有助于提高芯片的热稳定性和电气性能，适合在高密度PCB设计中使用。
　　在性能方面，H5DU5182ETRE3C支持高达166MHz的时钟频率，最大访问时间为5.4ns，能够提供快速的数据存取能力。该芯片还支持异步模式，允许系统根据需求灵活控制读写操作，适用于对实时性要求较高的应用。
　　此外，该DRAM芯片具有宽温工作范围（-40°C至+85°C），可在恶劣的工业环境中稳定运行。其设计符合RoHS标准，适用于环保要求较高的产品开发。

H5DU5182ETRE3C 主要应用于需要大容量缓存和高速数据处理的设备中，如工业控制计算机、网络基础设施设备（如路由器和交换机）、通信设备、医疗成像系统、测试仪器和嵌入式系统。此外，由于其宽温特性和低功耗设计，也常用于车载电子系统、安防监控设备和航空航天电子产品中。

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