H5DU5182EFR-J3C 是由SK Hynix生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于高密度、高性能的DRAM产品系列,适用于需要高速数据访问和大容量存储的应用场景。H5DU5182EFR-J3C采用FBGA封装技术,具备较低的功耗和较高的稳定性,适合用于服务器、网络设备、工业计算机以及高端消费类电子产品。
容量:512MB
组织结构:x16
工作电压:1.8V
接口类型:Parallel
封装类型:FBGA
时钟频率:166MHz
数据速率:333Mbps
工作温度范围:-40°C至+85°C
引脚数:54
H5DU5182EFR-J3C是一款高性能DRAM芯片,具备出色的稳定性和低功耗特性,适合工业级应用。其FBGA封装形式有助于提高封装密度,并改善散热性能,从而提升整体系统可靠性。该芯片支持166MHz的时钟频率,提供333Mbps的数据传输速率,满足高速数据处理的需求。此外,H5DU5182EFR-J3C的工作温度范围较宽,能够在-40°C至+85°C之间稳定运行,适用于各种严苛环境条件下的电子设备。
这款DRAM芯片还具备良好的兼容性,适用于多种主板和控制器设计,能够轻松集成到现有的硬件平台中。其1.8V的低电压设计不仅有助于降低系统功耗,还能减少热量产生,延长设备使用寿命。H5DU5182EFR-J3C的x16数据总线宽度支持高效的数据传输,满足高性能计算、网络通信和嵌入式系统等应用对内存带宽的需求。
H5DU5182EFR-J3C广泛应用于服务器、存储设备、网络交换机、路由器、工业计算机、嵌入式系统以及高端消费电子产品。其高速数据传输能力和低功耗特性使其成为需要高性能内存解决方案的理想选择。例如,在服务器和数据中心中,该芯片可以提供快速的数据存取能力,提升整体系统性能;在网络设备中,H5DU5182EFR-J3C能够支持高速数据包处理,提高网络吞吐量;在工业控制系统中,该芯片可确保稳定的数据存储和快速响应能力,满足实时处理需求。
H5DU51822EFR-RDNP, H5DU5182BFR-J3C