H5DU5182EFR-E3I 时间：2025/9/1 12:02:42 阅读：29

H5DU5182EFR-E3I 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其高密度、低功耗存储解决方案的一部分。该芯片设计用于高性能计算、服务器、网络设备和嵌入式系统等领域，提供较大的存储容量和较快的数据访问速度。H5DU5182EFR-E3I 采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装技术，具备较高的稳定性和可靠性。

参数

类型：DRAM
　　容量：256MB
　　组织结构：x16
　　电压：1.8V - 3.3V
　　访问时间：5.4ns
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：54
　　时钟频率：166MHz
　　数据速率：166MHz

特性

H5DU5182EFR-E3I 具有多个显著的技术特性，使其在多种应用场景中表现出色。首先，该芯片采用了先进的CMOS技术，确保了低功耗运行，同时在高频率下保持稳定性能。其166MHz的时钟频率和166MHz的数据速率使其适用于需要高速数据处理的系统。此外，该DRAM芯片的访问时间为5.4ns，保证了快速的数据读写能力。
　　这款芯片的封装形式为54引脚FBGA，这种封装方式具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，非常适合空间受限的应用场景。同时，H5DU5182EFR-E3I 支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）模式，进一步降低了功耗并提高了数据保持能力，适用于电池供电或需要长时间运行的设备。
　　该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，使其能够在各种恶劣的环境条件下稳定运行，适用于工业控制、通信设备和汽车电子等应用场景。此外，H5DU5182EFR-E3I 还支持多种电压供电（1.8V至3.3V），增强了其在不同系统中的兼容性。

应用

H5DU5182EFR-E3I 广泛应用于需要高性能和稳定存储解决方案的系统中。其典型应用包括网络路由器和交换机、工业控制设备、嵌入式系统、图形处理单元（GPU）缓存、以及消费类电子产品如高端数字电视和机顶盒等。由于其高速存取能力和低功耗特性，该芯片也非常适合用于便携式设备和需要长时间运行的自动化控制系统中。