时间：2025/7/10 8:52:51
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TFC-120-01-F-D 是一款高性能的功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电力电子领域。该型号属于N沟道增强型MOSFET，适用于高频开关和高效能转换场景。其设计优化了导通电阻与开关速度之间的平衡，使其在高电流应用中表现出色。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：35A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：70nC
总电容：450pF
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
TFC-120-01-F-D 的主要特性包括低导通电阻、快速开关性能以及高耐热能力。低导通电阻确保了器件在大电流条件下具有较低的功耗，从而提升了整体效率。此外，其快速开关特性非常适合于开关电源、DC-DC转换器等高频应用场景。器件还采用了先进的封装技术，增强了散热性能，进一步提高了可靠性。
这款 MOSFET 还具备出色的抗雪崩能力和 ESD 防护设计，能够在极端条件下稳定运行。同时，其低栅极电荷特性降低了驱动损耗，有助于提高系统效率。这些特点使得 TFC-120-01-F-D 成为工业自动化设备、通信电源及电动车辆驱动系统中的理想选择。
TFC-120-01-F-D 主要应用于各种电力电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动控制器
4. 太阳能逆变器
5. 电动汽车牵引逆变器
6. 工业焊接设备
其强大的电流承载能力和快速开关速度，使它成为这些高功率密度应用的理想解决方案。
TFC-120-02-F-D, IRFZ44N, FDP5580
