时间：2025/9/2 10:36:33
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H5DU5162ETR-J3J 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高性能、低功耗的移动存储解决方案。该芯片广泛应用于移动设备、嵌入式系统、便携式电子设备等领域，适用于需要大容量内存和高速数据处理的场景。
容量：256MB
类型：DRAM - LPDDR4
封装类型：FBGA
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
电压供应：1.1V / 1.8V
数据传输速率：3200Mbps
数据总线宽度：16位
刷新周期：64ms
时钟频率：1600MHz
H5DU5162ETR-J3J具备多项先进特性，以满足现代电子设备对内存性能和能效的高要求。其主要特性之一是采用了LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）技术，这使得它在数据传输速率上表现出色，同时保持了较低的功耗。该芯片支持高达3200Mbps的数据传输速率，并通过1600MHz的时钟频率实现高速运行，适用于对性能要求较高的设备，如智能手机、平板电脑和高性能嵌入式系统。
该DRAM芯片采用了先进的制造工艺，确保了在高速运行时的稳定性和可靠性。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种严苛环境条件下的应用。封装形式为FBGA（细间距球栅阵列），这种封装方式有助于提高信号完整性并减少封装尺寸，适合高密度电路板设计。
此外，H5DU5162ETR-J3J还具备低电压工作能力，其核心电压为1.1V，I/O电压为1.8V，这有助于降低整体功耗并延长电池寿命，非常适合用于电池供电设备。该芯片支持自动刷新和自刷新功能，能够有效维持数据完整性，同时在待机状态下降低功耗。
从功能上看，H5DU5162ETR-J3J提供了256MB的存储容量，采用16位数据总线宽度，使其在数据吞吐方面具有较高的效率。其64ms的刷新周期确保了在长时间运行中的数据稳定性，适用于对内存可靠性要求较高的应用场景。
H5DU5162ETR-J3J主要用于需要高性能内存支持的电子设备，包括但不限于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、嵌入式系统、车载信息娱乐系统以及便携式游戏设备。由于其高速数据传输能力和低功耗设计，该芯片特别适合用于移动计算设备和需要长时间运行的物联网设备。
H5DU5162ETR-J3C, H5DU5162ETR-J3M
