时间：2025/7/30 21:49:20
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KP80S1802F100 是一款由 KEC Corporation（现为 KE集团）生产的功率MOSFET晶体管。该器件采用先进的平面条形技术，具有高效能和高可靠性的特点，适用于多种电源管理和功率转换应用。KP80S1802F100 设计用于在高频率和高效率要求的应用中提供出色的性能，如DC-DC转换器、负载开关和马达控制电路。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：80A
漏源极击穿电压（VDS）：200V
栅源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约0.022Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247
功率耗散（PD）：300W
KP80S1802F100 的主要特性包括低导通电阻、高耐压能力和快速开关性能。其低RDS(on)使得在导通状态下的功率损耗最小化，从而提高整体系统的效率。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和过载能力，能够在高电流和高温环境下可靠运行。该器件的封装设计提供了良好的散热性能，有助于在高功率应用中保持稳定的工作温度。KP80S1802F100 还具备高dv/dt抗扰度和低门极电荷，适合在高频开关条件下工作。
KP80S1802F100 广泛应用于各种电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、马达驱动器和负载开关。此外，该MOSFET还可用于工业自动化控制系统、电动车电源管理系统以及太阳能逆变器等高功率应用领域。
IRF1405, STP80NF20, FDP80N20
