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H5DU5162ETR-J3I 发布时间 时间:2025/9/2 6:25:12 查看 阅读:8

H5DU5162ETR-J3I 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高密度、高性能的DRAM系列。该型号通常用于需要高速数据处理和大容量存储的应用场景,例如计算机、服务器、嵌入式系统等。该芯片具有低功耗设计,适合对能效要求较高的设备。

参数

容量:256MB
  组织方式:16M x 16
  电压:1.8V ~ 3.3V
  封装类型:TSOP
  引脚数:54-pin
  工作温度:-40°C ~ +85°C
  数据速率:166MHz
  访问时间:5.4ns
  

特性

H5DU5162ETR-J3I 具有多个关键特性,使其适用于广泛的电子设备和系统。首先,该芯片支持高速数据访问,最大数据速率达166MHz,能够满足对数据处理速度有高要求的应用。其次,其工作电压范围较宽,从1.8V到3.3V,使其在不同电源条件下都能稳定运行,增强了其适用性。
  此外,H5DU5162ETR-J3I 采用TSOP(薄型小外形封装)封装技术,具有较小的封装体积和良好的散热性能,适合空间受限的电路设计。同时,其工作温度范围为-40°C至+85°C,能够在恶劣的环境条件下保持稳定运行,适用于工业级和车载应用。

应用

H5DU5162ETR-J3I 主要应用于需要高性能和稳定存储的电子设备中。常见的应用领域包括嵌入式系统、工业控制设备、通信设备、汽车电子、消费电子产品(如智能电视、高端路由器)以及测试和测量仪器。由于其高速访问能力和宽电压、宽温度范围特性,该芯片非常适合用于对可靠性要求较高的工业和车载环境。在嵌入式系统中,H5DU5162ETR-J3I 可作为主存储器或缓存使用,以提高系统的运行效率。在通信设备中,它可以用于数据缓冲和临时存储,提升数据传输性能。

替代型号

IS42S16400J-6T, CY7C1041GN3A-10ZS, A2VDD16042D45E

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