H5DU5162EFR-J3I 时间：2025/9/1 20:53:20 阅读：55

H5DU5162EFR-J3I 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高性能、低功耗的移动存储解决方案，广泛应用于移动设备、嵌入式系统以及便携式电子产品中。该芯片采用了先进的制造工艺，具有高存储密度和快速的数据访问能力。

参数

制造商: SK Hynix
　　类型: DRAM
　　存储容量: 256Mb
　　组织结构: x16
　　电压: 1.8V
　　封装类型: FBGA
　　引脚数: 54
　　工作温度: -40°C ~ 85°C
　　时钟频率: 166MHz
　　数据速率: 333Mbps
　　数据总线宽度: 16位
　　封装尺寸: 8mm x 13mm
　　工艺技术: 0.15μm

特性

H5DU5162EFR-J3I DRAM芯片具有多项先进的技术特性，确保了其在高性能应用中的稳定性和可靠性。该芯片采用1.8V低电压供电，显著降低了功耗，适用于对能效要求较高的移动设备和便携式电子产品。其x16的数据组织结构支持更宽的数据传输，提高了数据吞吐量。
　　芯片的工作频率可达166MHz，数据速率高达333Mbps，能够满足高速数据处理的需求。封装形式为54引脚的FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array），在提供良好电气性能的同时，也具有出色的散热性能，适用于高密度PCB布局。
　　此外，H5DU5162EFR-J3I在设计上充分考虑了工业级温度范围的需求，支持-40°C至+85°C的工作环境温度，确保其在各种恶劣环境下仍能稳定运行。其采用0.15μm先进制程工艺，提高了芯片的集成度和稳定性。

应用

H5DU5162EFR-J3I 主要用于需要高性能、低功耗存储解决方案的设备中。典型应用包括智能手机、平板电脑、嵌入式系统、数码相机、多媒体播放器以及其他便携式电子设备。由于其高数据传输速率和稳定的运行表现，该芯片也适用于需要快速数据缓存和临时存储的工业控制设备和通信模块。
　　在工业和汽车电子领域，H5DU5162EFR-J3I 也能胜任严苛环境下的存储任务，如车载导航系统、工业自动化控制板卡、智能监控设备等。其工业级温度范围支持确保了在高温或低温环境下依然保持稳定运行，满足复杂应用需求。