时间：2025/9/1 14:27:13
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H5DU5162EFR-FAC 是由SK Hynix生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高密度存储器，广泛用于需要高速数据存取的设备，例如个人电脑、服务器、网络设备和嵌入式系统。这款DRAM芯片采用了先进的制造工艺，确保了其在高速运行时的稳定性和可靠性。
类型：DRAM
容量：256MB
数据速率：800MHz
封装类型：FBGA
工作电压：2.3V - 3.6V
数据宽度：16位
刷新周期：64ms
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
H5DU5162EFR-FAC具有多项显著特性，使其在各种应用中表现出色。首先，该芯片采用了先进的CMOS技术，提供了低功耗和高噪声免疫力。这使得它在高速运行时仍能保持较低的功耗，适用于对功耗敏感的设备。
其次，这款DRAM芯片支持自动刷新和自刷新功能，能够在不使用外部控制器的情况下保持数据完整性，从而降低了系统的复杂性和功耗。此外，H5DU5162EFR-FAC的封装设计优化了空间利用率，适合高密度电路板设计。
该芯片还具备优异的电气特性和信号完整性，确保在高频率下稳定工作。其支持的800MHz数据速率使其成为高性能计算和数据密集型应用的理想选择。
H5DU5162EFR-FAC主要应用于需要大容量内存和高速数据处理的设备，如台式机、笔记本电脑、服务器、工业计算机、网络交换机和路由器等。此外，它也常用于嵌入式系统和消费类电子产品，如智能电视、游戏机和高端打印机等。
H5DU5162AFR-FAC, H5DU5162GBR-FAC
