H5DU2562GTR-E3 是由SK hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高密度、高性能的存储器件。该芯片主要用于需要大量数据缓存和高速数据处理的应用场合,例如计算机系统、工业控制设备、通信设备以及嵌入式系统等。H5DU2562GTR-E3 的封装形式为TSOP(薄型小外形封装),具备良好的电气性能和热稳定性,适用于多种主流电子设备的设计和制造。
容量:256MB
组织结构:16M x 16
电压:2.3V - 3.6V
速度等级:10ns(纳秒)
封装类型:TSOP
引脚数:54
工作温度范围:-40°C至+85°C
数据宽度:16位
访问时间:10ns
最大功耗:2.5W
存储类型:DRAM
H5DU2562GTR-E3 的一个显著特点是其高存储密度,能够提供256MB的存储容量,适用于需要大量临时数据存储的应用场景。该芯片采用了先进的DRAM技术,确保了数据读写速度的高效性。其16位的数据宽度允许并行处理更多的数据,从而提升了整体系统性能。
此外,H5DU2562GTR-E3 支持宽电压范围(2.3V至3.6V),使其在不同电源条件下都能稳定运行,适用于多种电源设计环境。TSOP封装形式不仅减小了封装体积,还改善了散热性能,确保在高负载下依然保持良好的工作稳定性。
H5DU2562GTR-E3 还具备低功耗设计,在保持高性能的同时减少了能耗,有助于延长设备的使用寿命并降低整体功耗。这使得它在嵌入式系统、便携式设备以及其他对功耗敏感的应用中表现出色。
由于其广泛的应用兼容性和稳定的性能,H5DU2562GTR-E3 被广泛应用于各种电子设备中,如网络路由器、工业控制板、医疗设备、通信模块等。
H5DU2562GTR-E3 主要用于需要大容量缓存和高速数据处理的电子系统中。其典型应用包括计算机主板、工业控制设备、嵌入式系统、网络设备(如路由器和交换机)、通信模块、测试设备、医疗仪器以及多媒体设备等。由于其宽电压范围和良好的温度适应性,该芯片也适用于户外设备和工业自动化系统,确保在恶劣环境下依然能够稳定运行。
H5DU2562GTR-E3