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H5DU2562GFR-E3C 发布时间 时间:2025/9/2 10:15:32 查看 阅读:7

H5DU2562GFR-E3C 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款存储器专为高性能计算、服务器、网络设备以及其他对存储速度和容量有高要求的应用设计。H5DU2562GFR-E3C 的具体配置为256MB容量、x16位宽,工作电压为1.8V,属于DDR SDRAM(双倍数据速率同步动态随机存取存储器)类别。该芯片采用FBGA(细间距球栅阵列)封装,适合在高密度电路板上使用。其主要特点是高带宽、低功耗以及良好的稳定性,适用于现代电子设备中对内存性能有较高要求的场景。

参数

类型:DRAM
  容量:256MB
  组织结构:x16
  电压:1.8V
  接口类型:Parallel
  封装类型:FBGA
  速度等级:-6A(对应时钟频率166MHz)
  工作温度范围:0°C 至 85°C

特性

H5DU2562GFR-E3C 具有多个显著的性能特点,使其在众多DRAM产品中脱颖而出。
  首先,该芯片采用了DDR SDRAM技术,能够在每个时钟周期的上升沿和下降沿传输数据,从而实现双倍数据速率,显著提升了数据传输效率。其工作频率为166MHz,对应的等效数据传输速率为333Mbps,能够满足高性能系统对数据吞吐量的需求。
  其次,H5DU2562GFR-E3C 的工作电压为1.8V,相比传统的5V或3.3V存储器,具有更低的功耗和更少的热量产生。这对于功耗敏感的应用,如服务器、便携式设备和嵌入式系统来说非常重要。
  此外,该芯片采用了FBGA封装技术,具有更小的体积和更好的电气性能。FBGA封装可以提供更好的散热效果,并减少信号干扰,从而提高系统的稳定性和可靠性。该封装形式也便于在高密度PCB(印刷电路板)上进行布局和焊接。
  最后,H5DU2562GFR-E3C 的工作温度范围为0°C至85°C,适合在各种工业和商业环境中运行,具备较强的环境适应性。

应用

H5DU2562GFR-E3C 主要应用于需要较高内存性能和稳定性的设备和系统中。
  首先,在服务器和工作站中,该芯片可以作为缓存或主存使用,提升系统的运行速度和数据处理能力。由于服务器通常需要长时间运行并处理大量并发请求,因此对内存的稳定性和可靠性要求较高,H5DU2562GFR-E3C 正好能够满足这一需求。
  其次,在网络设备中,如交换机和路由器,该芯片可用于存储临时数据包和转发信息,提高网络设备的数据处理能力和响应速度。
  此外,H5DU2562GFR-E3C 还适用于工业控制、嵌入式系统和通信设备。例如,在工业自动化控制系统中,它可以作为主控芯片的配套存储器,确保控制系统的实时性和稳定性。在通信设备中,如基站和光模块,它可用于缓存和转发数据流,提高通信效率。
  总之,H5DU2562GFR-E3C 凭借其高性能、低功耗和良好的环境适应性,广泛应用于各类对内存性能有较高要求的电子设备中。

替代型号

[
   "H5DU2562GFR-E3B",
   "HY5DU2562GFR-E3C",
   "H5DU2562GFR-R3C"
  ]

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