时间：2025/9/2 0:39:55
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H5DU1262GTR-E3CR是一款由Hynix（现为SK hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高密度存储器，适用于需要大容量内存和高性能数据处理的应用场景。该封装采用BGA（球栅阵列）封装技术，具有较高的可靠性和电气性能。
类型：DRAM
容量：128MB
组织结构：16M x 8
电压：2.3V - 3.6V
速度：-55（对应于166MHz）
封装类型：BGA
引脚数：54
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
制造厂商：Hynix（现SK hynix）
产品状态：可能为停产或替代型号需确认
H5DU1262GTR-E3CR作为一款DRAM芯片，具备出色的存取速度和稳定的数据处理能力。其采用的BGA封装技术使得芯片在高频操作下依然保持良好的电气性能，并有效减少信号干扰。此外，该芯片的宽电压范围设计使其适应多种电源管理方案，适用于各种嵌入式系统和工业设备。由于其128MB的存储容量和166MHz的访问速度，该芯片适用于需要较高内存带宽的控制系统、通信设备和图像处理应用。
该芯片通常应用于嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、图像处理设备以及需要大容量内存支持的电子设备中。由于其高速存取特性，H5DU1262GTR-E3CR适用于需要快速数据处理和缓存的应用场景，例如路由器、交换机、工业自动化设备以及视频采集与处理系统等。
H5DU1262GTR-E3C4, H5DU1262GTR-E3C5
