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H5DU1262GTR-E3CR 发布时间 时间:2025/9/2 0:39:55 查看 阅读:13

H5DU1262GTR-E3CR是一款由Hynix(现为SK hynix)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于高密度存储器,适用于需要大容量内存和高性能数据处理的应用场景。该封装采用BGA(球栅阵列)封装技术,具有较高的可靠性和电气性能。

参数

类型:DRAM
  容量:128MB
  组织结构:16M x 8
  电压:2.3V - 3.6V
  速度:-55(对应于166MHz)
  封装类型:BGA
  引脚数:54
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  制造厂商:Hynix(现SK hynix)
  产品状态:可能为停产或替代型号需确认

特性

H5DU1262GTR-E3CR作为一款DRAM芯片,具备出色的存取速度和稳定的数据处理能力。其采用的BGA封装技术使得芯片在高频操作下依然保持良好的电气性能,并有效减少信号干扰。此外,该芯片的宽电压范围设计使其适应多种电源管理方案,适用于各种嵌入式系统和工业设备。由于其128MB的存储容量和166MHz的访问速度,该芯片适用于需要较高内存带宽的控制系统、通信设备和图像处理应用。

应用

该芯片通常应用于嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、图像处理设备以及需要大容量内存支持的电子设备中。由于其高速存取特性,H5DU1262GTR-E3CR适用于需要快速数据处理和缓存的应用场景,例如路由器、交换机、工业自动化设备以及视频采集与处理系统等。

替代型号

H5DU1262GTR-E3C4, H5DU1262GTR-E3C5

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