HM75N07K 时间：2025/6/22 14:03:28 阅读：5

HM75N07K 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要应用于需要高效能开关和低导通电阻的场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有出色的电气性能和可靠性，适用于工业、汽车及消费类电子领域。

参数

型号：HM75N07K
　　类型：N沟道 MOSFET
　　封装：TO-220
　　漏源极电压（Vds）：75V
　　连续漏极电流（Id）：32A
　　栅源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
　　最大功耗：225W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

HM75N07K 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻，能够有效减少功率损耗。
　　2. 高电流承载能力，可满足高功率应用需求。
　　3. 快速开关速度，适合高频应用环境。
　　4. 强大的抗雪崩能力和 ESD 防护功能，提升了器件的可靠性和耐用性。
　　5. 紧凑的 TO-220 封装设计，便于安装和散热管理。
　　6. 支持广泛的温度范围，适应极端环境下的使用。

应用

这款 MOSFET 广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器。
　　2. 电机驱动和控制电路。
　　3. 工业自动化中的负载切换。
　　4. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统。
　　5. 通信基础设施中的电源模块。
　　6. 家用电器和消费类电子产品中的功率调节组件。