H5DU1216GTR-E3C 是由SK hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高密度、高性能的存储器产品系列。这款DRAM芯片采用FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)封装技术,适用于对内存容量和访问速度有较高要求的应用场景,例如个人电脑、服务器、网络设备和嵌入式系统等。H5DU1216GTR-E3C 的具体规格为1GB容量,x16数据宽度,工作电压为1.35V,支持DDR3 SDRAM标准,具备低功耗特性,适用于节能型电子设备的设计和开发。
容量:1GB
数据宽度:x16
电压:1.35V
类型:DDR3 SDRAM
封装类型:FBGA
工作温度范围:0°C至85°C
存储温度范围:-55°C至125°C
时钟频率:最高支持800MHz
数据速率:1600Mbps
H5DU1216GTR-E3C 是一款低电压、高性能的DDR3 SDRAM芯片,具有较高的数据传输速率和较低的功耗特性,适合在高性能计算和低功耗应用场景中使用。
这款DRAM芯片采用先进的制造工艺,确保了稳定性和可靠性,适用于长时间运行的设备,如服务器和网络设备。
H5DU1216GTR-E3C 采用FBGA封装,具有良好的散热性能和较小的PCB占用空间,便于在高密度电路设计中使用。
其1.35V的供电电压降低了功耗和热量生成,符合现代电子设备对节能环保的需求。
该芯片支持自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh)功能,有助于在不同的工作环境下保持数据完整性。
此外,H5DU1216GTR-E3C 具备较高的集成度和兼容性,能够广泛应用于多种电子系统中,提供高效稳定的内存解决方案。
H5DU1216GTR-E3C 主要应用于需要高性能内存支持的电子设备,如个人电脑、服务器、笔记本电脑、工作站和嵌入式系统等。
该芯片也适用于工业自动化设备、通信设备和网络路由器等对内存性能和稳定性有较高要求的领域。
由于其低功耗特性,H5DU1216GTR-E3C 还可用于便携式电子产品,如平板电脑和智能终端设备,提供高效能与长续航的平衡解决方案。
在汽车电子系统中,例如车载信息娱乐系统(IVI)和高级驾驶辅助系统(ADAS),该DRAM芯片也能提供可靠的内存支持。
H5DU1216GTR-E3C 的替代型号包括 H5DU1216GTR-E3、H5DU1216GTR-EBC 和 H5DU1216GTR-E4C。这些型号在性能和封装方面具有相似性,可根据具体需求进行替换。