时间：2025/9/1 17:21:03
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H5ANAG8NCMR-WMC是一款由SK hynix制造的高性能DRAM芯片。该芯片属于移动DRAM类别，专为低功耗和高数据传输速率而设计，适用于移动设备如智能手机和平板电脑。该芯片采用BGA（球栅阵列）封装技术，具有高可靠性和紧凑的尺寸。
制造商: SK hynix
类型: DRAM
子类型: Mobile DRAM
容量: 8GB
数据速率: 4266Mbps
电压: 1.8V / 1.5V
封装类型: BGA
引脚数: 153
工作温度: -40°C ~ 85°C
H5ANAG8NCMR-WMC移动DRAM芯片采用了先进的工艺技术，确保了在低功耗条件下的高性能运行。其主要特性包括高数据传输速率，支持4266Mbps的运行频率，使得设备在处理高负载任务时依然保持流畅。此外，这款DRAM芯片支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式、自刷新模式和预充电功耗模式，有助于延长设备的电池续航时间。
该芯片采用153球BGA封装，确保了在小型化设备中的安装灵活性，同时提高了焊接可靠性和热稳定性。其宽泛的工作温度范围（-40°C至85°C）使得它能够适应各种严苛的使用环境，从极寒的户外设备到高温工作的移动终端，均能稳定运行。
此外，H5ANAG8NCMR-WMC支持多种数据宽度选项，包括x16和x32模式，适应不同的系统架构需求。其内建的温度补偿自刷新（TCSR）功能可优化存储器的刷新周期，降低漏电损耗，提高系统能效。
H5ANAG8NCMR-WMC广泛应用于高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备以及高性能计算模块（HPCM）等移动电子产品中。其低功耗与高性能特性也使其适用于车载信息娱乐系统（IVI）、工业控制设备及物联网（IoT）终端设备。
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