型号：H5ANAG8NCMR-VKC
　　类型：NAND闪存
　　容量：8GB
　　封装类型：BGA
　　数据接口：ONFI 4.0
　　工作电压：1.8V / 3.3V
　　读取速度：最高可达500MB/s
　　写入速度：最高可达300MB/s
　　擦除速度：块擦除时间约1.5ms
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

H5ANAG8NCMR-VKC NAND闪存芯片采用了先进的制造工艺，具有出色的耐用性和可靠性，支持高密度数据存储。其ONFI 4.0接口标准提供了更高的数据传输速率，从而提高了整体系统性能。该芯片支持ECC（错误校正码）功能，能够在数据读取过程中自动纠正错误，确保数据的完整性与准确性。此外，该NAND闪存还具备低功耗设计，适用于对能耗敏感的移动设备。其BGA封装形式不仅节省空间，还增强了电气性能和机械稳定性，适合在复杂环境中使用。芯片内置的磨损均衡（wear leveling）算法延长了使用寿命，同时支持坏块管理，进一步提升了数据存储的安全性。
　　此外，H5ANAG8NCMR-VKC还支持多种高级功能，如缓存编程、快速读取模式、多平面操作等，能够显著提升存储效率。其多平面架构允许同时在多个存储平面上执行读写操作，从而提高并发性能。芯片还支持多种安全功能，包括写保护、加密存储等，确保用户数据的安全性。这些特性使得该芯片不仅适用于消费类电子产品，也能满足工业级应用的严苛需求。

H5ANAG8NCMR-VKC主要用于高性能嵌入式存储系统，常见于智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器、车载导航系统和工业控制设备。其高容量和高速传输特性使其成为固态硬盘（SSD）和存储扩展模块的理想选择。此外，该芯片还可用于物联网（IoT）设备、边缘计算设备和嵌入式AI系统中，满足这些设备对大容量、高速度、低功耗存储的需求。

H5ANAG8NMFR-VKC, H5ANAG8NDJR-VKC, H5ANAG8NCMR-VKE