H5ANAG6NAMR-UHC 是一款由SK Hynix(海力士)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高带宽内存解决方案的一部分,广泛用于高性能计算、服务器、图形处理以及需要快速数据访问的嵌入式系统中。该芯片采用先进的制造工艺,具备高速度、低功耗和高稳定性等特点。
容量:2GB
电压:1.2V
封装:BGA
接口类型:GDDR6
数据速率:14Gbps
工作温度范围:0°C至85°C
封装尺寸:13.5mm x 14.5mm
H5ANAG6NAMR-UHC IC具备一系列先进的技术特性,使其适用于高要求的电子系统。首先,其GDDR6接口支持高达14Gbps的数据传输速率,显著提升了内存带宽和系统性能。该芯片采用1.2V的低电压设计,有助于降低功耗并提高能效。
其次,H5ANAG6NAMR-UHC采用了BGA(球栅阵列)封装技术,确保了稳定的电气连接和优异的热管理能力。其紧凑的封装尺寸(13.5mm x 14.5mm)使其适用于空间受限的高密度电路设计。
此外,该IC支持0°C至85°C的工作温度范围,适应各种严苛的环境条件。其内置的纠错和自刷新功能进一步提高了数据可靠性和系统稳定性,适用于图形加速器、高端游戏机、AI加速卡和服务器等高性能应用场景。
H5ANAG6NAMR-UHC IC主要应用于需要高速数据处理和大内存带宽的设备,包括高端显卡、游戏主机、AI加速模块、数据中心服务器、工业计算机、嵌入式视觉系统以及高性能计算设备。其出色的性能和稳定性使其成为现代图形处理和人工智能计算平台的理想选择。
H5ANAG6NDJ-UHC, H5ANAG8NAMR-UHC, H5ANAG6NBM-UHC