容量：8Gbit
　　组织结构：x8
　　封装类型：BGA
　　电压：1.8V
　　接口类型：DRAM
　　工作温度范围：商业级（0°C至85°C）
　　时钟频率：高达200MHz
　　数据速率：400Mbps（在DDR模式下）
　　访问时间：< 375ps
　　封装尺寸：9mm x 13mm
　　制造工艺：约50nm或更先进工艺

H5AN8G8NCJR-UHC 是一款DDR SDRAM（双倍数据速率同步动态随机存取存储器）芯片，采用先进的半导体制造工艺，具有较高的集成度和较低的功耗。该芯片支持DDR接口标准，能够在每个时钟周期的上升沿和下降沿传输数据，从而实现双倍的数据传输速率。其标准工作电压为1.8V，相比传统的DRAM芯片具有更低的功耗，适用于节能型设备的设计。
　　该芯片的封装形式为BGA（Ball Grid Array），具有良好的电气性能和热稳定性，能够适应高密度PCB布局和复杂的散热需求。其工作温度范围为商业级（0°C至85°C），适用于大多数常规电子设备的工作环境。此外，该芯片支持高速时钟频率（高达200MHz），在DDR模式下可实现400Mbps的数据传输速率，满足高速数据处理和大容量内存需求。
　　该芯片内部采用x8的数据组织方式，每个时钟周期可以传输8位数据。这种组织结构在提高数据吞吐量的同时，也降低了内存控制器的设计复杂度，提高了系统的稳定性。此外，该芯片的访问时间小于375皮秒（ps），响应速度快，适合对性能要求较高的应用场合。
　　H5AN8G8NCJR-UHC 还具备良好的兼容性，支持多种主流内存控制器和主板架构，能够与不同厂商的硬件平台协同工作。其封装尺寸为9mm x 13mm，在保证高容量的同时，也具有较小的物理体积，适用于紧凑型设备的设计。

H5AN8G8NCJR-UHC 广泛应用于各种需要高性能内存支持的电子设备中。它常用于个人电脑、服务器、工作站等计算设备中作为主内存模块的核心元件。由于其高容量和高速特性，该芯片也广泛应用于工业控制设备、网络设备、通信设备等对内存性能有较高要求的场景。
　　在嵌入式系统中，该芯片可用于构建大容量缓存或运行内存，以提升系统的处理能力和响应速度。例如，在高端路由器、交换机、视频监控系统、数字标牌等设备中，H5AN8G8NCJR-UHC 可以提供稳定可靠的内存支持。
　　此外，该芯片也适用于消费类电子产品，如智能电视、游戏主机、高性能平板电脑等，能够满足现代多媒体应用对内存容量和速度的需求。在服务器和数据中心环境中，该芯片可以用于构建高密度内存模块，以支持大规模数据处理、虚拟化和云计算等应用场景。

H5AN8G8NBJR-UHC, H5AN8G8NCBR-UHC, H5AN8G8NBJR-UHG