容量：8Gb
　　类型：LPDDR4x SDRAM
　　封装类型：BGA
　　电源电压：1.1V
　　数据速率：4266 Mbps
　　接口：x16
　　工作温度范围：-40°C至85°C

H5AN8G6NCJR-WMC的显著特性包括其8Gb的存储容量，能够支持复杂的多任务处理和高性能需求的应用。这款芯片采用LPDDR4x技术，相较于前代LPDDR4，功耗更低，同时保持了高速数据传输能力，使其非常适合用于对能效要求较高的移动设备。其BGA（球栅阵列）封装形式提供了良好的电气性能和机械稳定性，确保在紧凑空间内的可靠连接。
　　这款DRAM芯片的工作电压为1.1V，有助于延长设备电池寿命。其数据速率达到4266 Mbps，能够满足高端图形处理、4K视频播放和大型应用的内存带宽需求。x16接口设计使其能够在有限的引脚数量下实现高效的数据传输，同时简化了主板设计。此外，其宽广的工作温度范围（-40°C至85°C）使其适用于各种环境条件下的设备，从寒冷的户外场景到高温运行的高性能模式。

H5AN8G6NCJR-WMC广泛应用于现代高性能移动设备，包括旗舰级智能手机、平板电脑和便携式游戏设备。由于其高容量和低功耗特性，这款芯片也非常适合用于需要长时间续航的设备。此外，它还可用于某些嵌入式系统和车载信息娱乐系统，提供稳定且高效的内存解决方案。在消费类电子产品中，这款DRAM芯片支持复杂的多任务处理、高清视频播放和大型游戏运行，为用户提供流畅的使用体验。

H5AN8G6NCJR-WMC的替代型号包括H5AN8G6NBJR-WMC和H5AN8G6NBJR-ACM，这些型号同样由SK Hynix生产，具有类似的性能和规格。此外，也可以考虑其他厂商的LPDDR4x SDRAM芯片，例如三星的K3UW8G60CM-ACLU和美光的D9PCK01。在选择替代型号时，需要确保其容量、数据速率和封装形式与原型号兼容，以确保设备正常运行。