时间：2025/9/1 16:52:30
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H5AN4G8NMFR-UHC是一款由SK Hynix公司生产的高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于移动DRAM（Mobile DRAM）类别，专为低功耗和高性能需求而设计，广泛应用于高端智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及其他便携式电子设备中。该型号采用先进的制造工艺，提供大容量存储支持，并具备出色的能效比。
容量：4Gb（512MB）
类型：LPDDR4 SDRAM
封装形式：FBGA
电压：1.1V / 2.5V
数据宽度：x8
时钟频率：最高可达1600MHz
封装尺寸：具体尺寸依据封装类型确定
温度范围：工业级温度范围
H5AN4G8NMFR-UHC具备多个关键特性，使其适用于现代移动设备的需求。首先，该芯片采用了LPDDR4标准，支持更高的带宽和更低的功耗，使其非常适合用于需要长时间运行的设备。其次，其内部结构设计优化了数据传输速率，从而提高了系统的整体性能。此外，该DRAM芯片支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式和自刷新模式，有助于延长电池续航时间。在可靠性方面，该芯片具有较强的抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中稳定运行。最后，该芯片在制造过程中采用了先进的工艺技术，确保了高良率和长使用寿命。
H5AN4G8NMFR-UHC广泛应用于多种高性能便携式电子产品中，包括但不限于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、智能电视、数字机顶盒、工业控制系统、嵌入式设备以及需要高速内存支持的物联网设备。其低功耗与高性能的结合，使其成为移动设备制造商的首选存储解决方案。
H5AN4G8NMFR-UMC，H5AN4G8NMF-UHC，H5AN8G8NMFR-UHC
