时间：2025/9/1 17:01:37
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H5AN4G8NAFR-PBC 是由SK Hynix（海力士）生产的一款NAND闪存芯片。这款芯片属于高密度、高性能的NAND闪存器件，广泛用于需要大容量存储和高速数据访问的应用场景。H5AN4G8NAFR-PBC 是一款4GB（Gigabit）容量的NAND闪存芯片，具有8位数据总线宽度，适用于各种嵌入式系统和消费类电子产品。
容量：4Gb
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
接口：8位NAND接口
工作电压：2.7V - 3.6V
擦写寿命：10万次（Typical）
数据保存时间：10年
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
H5AN4G8NAFR-PBC 是一款基于SLC（Single-Level Cell）技术的NAND闪存芯片，具有较高的可靠性和较长的擦写寿命。该芯片采用TSOP封装，体积小巧，便于在各种电路板上布局。其8位并行NAND接口提供了较高的数据传输速率，适合需要频繁读写操作的应用场景。
这款NAND闪存芯片支持页编程和块擦除操作，具备较高的灵活性和效率。它还具有低功耗设计，在待机模式下功耗极低，适合用于对功耗敏感的便携式设备。此外，H5AN4G8NAFR-PBC 的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级环境下的稳定运行。
该芯片广泛用于嵌入式系统的固件存储、数据记录设备、工业控制设备以及其他需要非易失性存储的应用场景。其高可靠性和长寿命设计使其在恶劣环境中也能保持稳定的性能。
H5AN4G8NAFR-PBC 适用于多种需要非易失性存储的应用，包括但不限于：
? 嵌入式系统的固件存储
? 工业控制设备的数据记录
? 消费类电子产品（如数码相机、MP3播放器等）
? 通信设备中的配置存储
? 汽车电子系统中的信息存储
H5AN4G8NAFR-PBC的替代型号包括H5AN4G8N2AFR-PBC、H5AN4G8NAFB-PBC、H5AN4G8NDFR-PBC等。这些型号在封装、容量或性能方面略有差异，可根据具体应用需求进行选择。
