H5AN4G6NBJR-UHC 是一颗由SK Hynix(海力士)公司制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款DRAM芯片采用高密度存储技术,专为高性能计算和数据密集型应用而设计。其主要特点是存储容量大、数据访问速度快,以及低功耗设计,适用于现代电子设备对内存性能和能效的高要求。该芯片广泛应用于服务器、网络设备、嵌入式系统和消费类电子产品中,提供可靠的数据存储和处理能力。
容量:4Gb
类型:DRAM
封装类型:BGA
数据速率:未明确说明,但根据型号推测其适合高速应用
电压:通常为1.8V或2.5V,具体取决于工作条件
接口:未明确说明,但根据型号推测为标准DRAM接口
温度范围:工业级温度范围,通常为-40°C至+85°C
存储周期:支持高频率读写操作
H5AN4G6NBJR-UHC是一款高性能DRAM芯片,具有高容量和快速数据访问能力,适用于需要大内存支持的应用场景。它采用先进的DRAM技术,提供可靠的数据存储解决方案。芯片具有低功耗特性,适合在对能耗敏感的设备中使用。此外,该芯片的封装设计使其在空间受限的应用中具有良好的适应性,同时具备良好的散热性能,确保在高负载下仍能稳定运行。H5AN4G6NBJR-UHC还支持多种工作模式,可以根据不同的应用需求进行配置,提高系统灵活性和效率。
H5AN4G6NBJR-UHC主要用于需要高性能内存支持的设备,例如服务器、工作站、网络设备、高端嵌入式系统以及消费类电子产品,如高性能计算设备和智能电视等。该芯片能够满足这些设备对高速数据处理和存储的高要求。
H5AN4G6NBJR-UHC的替代型号包括K4B4G1646C-BCK0(三星)和MT48LC16M16A2B4-6A(美光)。