时间：2025/9/2 11:30:52
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H5AN4G6NBJR-UHC 是一颗由SK Hynix（海力士）公司制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款DRAM芯片采用高密度存储技术，专为高性能计算和数据密集型应用而设计。其主要特点是存储容量大、数据访问速度快，以及低功耗设计，适用于现代电子设备对内存性能和能效的高要求。该芯片广泛应用于服务器、网络设备、嵌入式系统和消费类电子产品中，提供可靠的数据存储和处理能力。
容量：4Gb
类型：DRAM
封装类型：BGA
数据速率：未明确说明，但根据型号推测其适合高速应用
电压：通常为1.8V或2.5V，具体取决于工作条件
接口：未明确说明，但根据型号推测为标准DRAM接口
温度范围：工业级温度范围，通常为-40°C至+85°C
存储周期：支持高频率读写操作
H5AN4G6NBJR-UHC是一款高性能DRAM芯片，具有高容量和快速数据访问能力，适用于需要大内存支持的应用场景。它采用先进的DRAM技术，提供可靠的数据存储解决方案。芯片具有低功耗特性，适合在对能耗敏感的设备中使用。此外，该芯片的封装设计使其在空间受限的应用中具有良好的适应性，同时具备良好的散热性能，确保在高负载下仍能稳定运行。H5AN4G6NBJR-UHC还支持多种工作模式，可以根据不同的应用需求进行配置，提高系统灵活性和效率。
H5AN4G6NBJR-UHC主要用于需要高性能内存支持的设备，例如服务器、工作站、网络设备、高端嵌入式系统以及消费类电子产品，如高性能计算设备和智能电视等。该芯片能够满足这些设备对高速数据处理和存储的高要求。
H5AN4G6NBJR-UHC的替代型号包括K4B4G1646C-BCK0（三星）和MT48LC16M16A2B4-6A（美光）。
