3DK10E 时间：2025/8/25 6:11:08 阅读：3

3DK10E 是一款常用的硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、功率放大器、电机控制等电子电路中。该晶体管具有良好的导通特性、较高的电流承载能力和较强的热稳定性。3DK10E采用TO-220封装形式，适用于中等功率应用场合，具备良好的散热性能和安装便捷性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：8A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　封装形式：TO-220

特性

3DK10E MOSFET 具有优异的导通性能和较低的导通损耗，适用于中等功率的开关应用。其导通电阻低至0.45Ω，有助于减少在高电流工作状态下的功耗，提高整体效率。该器件支持高达8A的连续漏极电流，漏源电压最大可达100V，适合用于多种电源管理和功率控制电路。
　　此外，3DK10E采用TO-220封装，具有良好的散热能力，能够有效降低工作温度对器件性能的影响。其栅极驱动电压范围为±20V，便于与多种驱动电路兼容。该晶体管在设计上具备较高的可靠性和稳定性，适用于工业控制、电源适配器、直流电机驱动等应用场景。

应用

3DK10E 常用于各类开关电源电路中，如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、LED驱动电源等，作为主开关管使用。此外，它也广泛应用于电机驱动电路、电瓶充放电控制器、逆变器、UPS不间断电源等功率电子设备中。由于其良好的导通特性和较高的电流容量，3DK10E 也适用于音频功率放大器、负载开关以及各种需要高效能MOSFET的控制电路。