时间：2025/9/1 11:04:49
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H5AN4G6NAFR-VKC 是由SK Hynix生产的一款高性能、低功耗的NAND闪存芯片。这款芯片主要面向嵌入式系统和固态硬盘（SSD）应用，提供较高的存储密度和可靠的数据读写性能。H5AN4G6NAFR-VKC的封装形式为TSOP（薄型小外形封装），适用于对空间和功耗要求较高的便携式设备和工业应用。
存储容量：4GB
接口类型：ONFI 2.3（Open NAND Flash Interface）
电压范围：2.3V - 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
读取速度：最高可达50MB/s
写入速度：最高可达20MB/s
擦除速度：块擦除时间约为2ms
寿命：每个块支持10,000次编程/擦除周期
缓存：支持页缓存编程
H5AN4G6NAFR-VKC是一款高性能的NAND闪存芯片，专为需要高存储密度和快速数据访问的嵌入式系统和固态存储设备设计。其ONFI 2.3兼容接口确保了与多种控制器的兼容性，同时支持快速的数据传输。该芯片采用TSOP封装，体积小巧，适合在空间受限的设备中使用。
此外，H5AN4G6NAFR-VKC具有低功耗特性，适合用于电池供电设备。其工作温度范围广泛，支持-40°C至+85°C，适用于工业级环境条件。芯片支持页缓存编程，提高了写入操作的效率，并减少了主机处理器的负担。
该NAND闪存芯片的读取速度最高可达50MB/s，写入速度最高为20MB/s，块擦除时间约为2ms，能够满足大多数嵌入式应用对存储性能的需求。此外，其每个块支持10,000次编程/擦除周期，确保了较长的使用寿命。
H5AN4G6NAFR-VKC广泛应用于嵌入式系统、固态硬盘（SSD）、工业控制设备、车载导航系统、智能家电、手持设备以及各种需要非易失性存储的电子产品中。由于其低功耗、高性能和小封装尺寸，特别适合用于便携式设备和对可靠性要求较高的工业应用场景。
H5AN4G6NDFR-VKC, H5AN4G6NBJR-VKC
