存储容量：4GB
　　接口标准：ONFI 2.3
　　封装类型：TSOP
　　工作温度：-40°C至+85°C
　　电源电压：2.7V至3.6V
　　读取速度：最大50MB/s
　　写入速度：最大20MB/s
　　擦除时间：块擦除时间约2ms
　　擦除块数量：64块
　　数据保持时间：10年
　　编程/擦除周期：10,000次

H5AN4G4NMFR是一款高性能的NAND Flash存储芯片，具备多种优良特性。首先，它采用了ONFI 2.3接口标准，支持高速数据传输，读取速度最高可达50MB/s，写入速度最高可达20MB/s，能够满足大多数嵌入式设备对数据存储的需求。其次，该芯片支持64个擦除块，每个块的擦除时间约为2ms，确保了快速的数据擦除操作。
　　该芯片的存储容量为4GB，适用于多种应用场景，包括智能手机、平板电脑、存储卡和工业控制系统等。其TSOP封装形式不仅节省空间，还提高了芯片的稳定性和可靠性。此外，H5AN4G4NMFR的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，能够在极端环境下稳定运行。
　　在电源管理方面，H5AN4G4NMFR支持2.7V至3.6V的宽电压范围，适应不同的电源供应环境。该芯片还具备10年数据保持能力，并支持10,000次编程/擦除周期，具有较长的使用寿命和良好的耐用性。这些特性使得H5AN4G4NMFR成为许多高性能嵌入式系统的理想存储解决方案。

H5AN4G4NMFR广泛应用于多个领域。在消费电子领域，它常用于智能手机、平板电脑和数字相机等设备，作为操作系统、应用程序和用户数据的存储介质。在工业控制领域，H5AN4G4NMFR可用于嵌入式控制器、数据采集系统和工业自动化设备，提供可靠的数据存储和快速的读写性能。
　　此外，该芯片也适用于通信设备，如路由器、交换机和网络存储设备，用于存储固件和配置信息。在汽车电子领域，H5AN4G4NMFR可用于车载导航系统、行车记录仪和车载信息娱乐系统，支持在复杂温度环境下稳定运行。
　　由于其高性能、低功耗和高可靠性，H5AN4G4NMFR也被应用于智能穿戴设备、医疗设备和物联网（IoT）设备中，满足这些设备对存储容量和稳定性的需求。总体而言，H5AN4G4NMFR是一款适用于多种应用场景的高性能NAND Flash存储芯片。

H5AN4G4NMFR-RBCA H5AN4G4NMFR-TBCA