W25N01GVZEIT TR 是 Winbond 公司推出的一款串行NAND闪存芯片,具有1Gbit的存储容量。这款芯片广泛应用于需要大容量存储和高性能数据存储管理的设备中,例如固态硬盘(SSD)、网络设备、工业控制设备以及车载系统等。
容量:1Gbit
电压范围:2.3V - 3.6V
接口类型:SPI (Serial Peripheral Interface)
时钟频率:最大支持104MHz
页面大小:2KB
块大小:128KB
擦除时间:最大5ms
编程时间:最大700μs
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
封装类型:TSOP 8-pin
W25N01GVZEIT TR 的核心特性包括其高性能SPI接口,支持高速数据传输和快速编程/擦除操作。其低功耗设计使其适用于电池供电设备,同时支持ECC(错误校正码)功能以提高数据可靠性。
该芯片支持多种操作模式,包括标准SPI、双线SPI和四线SPI模式,提供灵活的数据传输选项。此外,它内置硬件写保护功能,防止意外数据丢失。芯片还支持坏块管理,便于在NAND闪存应用中进行数据存储优化。
另外,W25N01GVZEIT TR 提供了多种安全功能,例如软件和硬件块锁保护、唯一ID锁定以及一次性可编程(OTP)区域,适用于需要数据安全和唯一识别的应用场景。
该芯片常用于需要高可靠性存储和大容量数据存储的应用中,例如工业自动化设备、网络路由器、机顶盒、车载导航系统、数字电视、固态硬盘控制器以及物联网(IoT)设备等。其SPI接口和多种安全功能也使其适用于嵌入式系统和智能卡应用。
W25N01GVZEIT TR 的替代型号包括 Micron 的 MT29F1G01ABAFAB0 和 Spansion 的 S25FL256SAGMFI011,这些型号在接口兼容性和性能方面具有相似性,可根据具体需求进行选型替换。