容量：64Mbit
　　组织结构：1262x16
　　工作电压：3.3V
　　数据速率：50MHz
　　访问时间：5.4ns
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　工艺技术：DRAM

H57V1262GTR-50C 采用了先进的DRAM技术，具有高速访问和低功耗的特点。该芯片支持异步操作，允许在不同的时钟频率下运行，从而提高了系统的灵活性和兼容性。此外，该芯片的封装设计使其适用于高密度的电路板布局，能够在有限的空间内实现高性能存储功能。
　　在电源管理方面，H57V1262GTR-50C 提供了低功耗模式，能够在设备不进行频繁数据访问时降低功耗，从而延长设备的电池寿命并减少发热。这种特性使其特别适用于便携式设备和对功耗敏感的应用场景。
　　从可靠性和耐用性角度来看，该芯片设计符合工业级标准，能够在较为恶劣的环境条件下稳定运行。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种工业和嵌入式应用。此外，该芯片的TSOP封装形式有助于提高封装密度并降低信号干扰，从而提高整体系统的稳定性。

H57V1262GTR-50C 通常用于需要高速、低功耗存储解决方案的应用场景。例如，在嵌入式系统中，该芯片可以作为主存储器或缓存，用于存储临时数据或程序代码。在工业控制系统中，它可以用于高速数据缓冲和实时处理。此外，它也常用于网络设备、通信模块和视频处理设备中，以满足对快速数据访问的需求。
　　由于其低功耗和高性能的特点，该芯片也适用于手持设备和便携式电子产品，如PDA、手持终端和工业平板电脑。在这些设备中，H57V1262GTR-50C 能够提供可靠的存储支持，同时尽量减少功耗，从而延长电池寿命。
　　在网络和通信领域，该芯片可以用于路由器、交换机和通信基站等设备，提供快速的数据处理和存储能力。这些设备通常需要高性能的内存来处理大量数据流量，H57V1262GTR-50C 能够很好地满足这一需求。

H57V1262GTR-50C 可以被以下型号替代：H57V1262GTR-55C、H57V1262GTR-60C、IS61LV25616-10B4A、CY7C1041CV33-10ZSXC。