型号：2SK2471
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：500 V
　　最大漏极电流（Id）：7 A（连续）
　　脉冲漏极电流（Idm）：28 A
　　最大栅源电压（Vgs）：±30 V
　　阈值电压（Vth）：4.0 V（典型值）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.65 Ω（最大值，@ Vgs=10V）
　　最大功耗（Pd）：50 W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　输入电容（Ciss）：1100 pF（@ Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：240 pF（@ Vds=25V）
　　反向传输电容（Crss）：40 pF（@ Vds=25V）
　　开启延迟时间（td(on)）：25 ns
　　上升时间（tr）：40 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：60 ns
　　下降时间（tf）：25 ns

2SK2471的首要特性是其优异的开关性能，这得益于其采用的平面硅栅极技术，使得器件在高频环境下仍能保持较低的开关损耗。该MOSFET具备较高的电压耐受能力，最大漏源电压可达500V，适用于多种高压应用场景，如AC-DC电源适配器、离线式开关电源等。其导通电阻Rds(on)在Vgs=10V条件下最大仅为0.65Ω，有助于减少导通期间的能量损耗，从而提高电源系统的整体效率。
　　另一个关键特性是其良好的热稳定性与散热能力。该器件设计时充分考虑了封装与芯片之间的热阻匹配，在高负载工作状态下仍可维持较低的温升，延长使用寿命。同时，2SK2471具有较强的抗雪崩击穿能力，可在瞬态过压情况下提供一定程度的自我保护，增强系统鲁棒性。
　　此外，该MOSFET的输入阻抗极高，驱动电路所需电流极小，因此非常适合与PWM控制器直接连接，简化驱动设计。其栅极电荷量较低，进一步降低了驱动损耗，有利于实现更高的开关频率。器件还具备优良的抗噪声干扰能力，防止误触发导致的异常导通，提升系统安全性。
　　2SK2471的工作温度范围宽广，从-55°C到+150°C，适应严苛的环境条件，包括高温工业环境和低温户外设备。其封装形式便于自动化装配，并支持通孔安装方式，增强了PCB布局的灵活性。综合来看，这些特性使2SK2471成为中小功率开关电源领域中一个可靠且高效的选择。

2SK2471主要应用于各类需要高效、高频开关操作的电力电子系统中。其最常见的用途是在反激式（Flyback）、正激式（Forward）以及推挽式（Push-Pull）拓扑结构的开关电源（SMPS）中作为主开关器件，用于将交流电转换为稳定的直流输出，广泛见于电视机、显示器、笔记本电脑适配器等消费电子产品中。
　　此外，该器件也常用于DC-DC升压或降压转换器中，特别是在要求高效率和小体积的设计中表现突出。由于其具备较高的耐压能力和足够的电流承载能力，2SK2471也可用于光伏逆变器、LED驱动电源和UPS不间断电源系统中，作为核心开关元件实现能量转换。
　　在工业控制领域，2SK2471可用于电机驱动电路中的低端开关，或者作为继电器替代方案用于固态开关模块。其快速响应特性和高可靠性使其适合在自动化设备、PLC模块和传感器供电单元中使用。
　　另外，该MOSFET还可应用于照明系统，例如高强度气体放电灯（HID）镇流器或冷阴极荧光灯（CCFL）逆变器，其中需要精确控制高频交流信号以驱动灯具。在通信设备电源模块中，2SK2471也被用于隔离式DC-DC变换器，确保信号隔离的同时提供稳定供电。
　　总之，凭借其高耐压、低导通损耗和优良的开关特性，2SK2471适用于多种中等功率级别的电力转换场合，尤其适合对效率、体积和可靠性有较高要求的应用场景。

2SK2469
　　2SK2470
　　2SK2580
　　2SK2641
　　2SK2683