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H57V1262GTB-75C 发布时间 时间:2025/9/1 19:16:00 查看 阅读:6

H57V1262GTB-75C 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款存储器芯片采用了先进的制造工艺,具有较高的存储容量和稳定性,适用于对内存性能有较高要求的应用场景。该芯片的具体规格和功能使其成为工业级设备、计算机系统和嵌入式应用的理想选择。

参数

类型:DRAM
  容量:256MB
  组织结构:x16
  速度:-75C(对应访问时间7.5ns)
  电压:3.3V
  封装:TSOP(Thin Small Outline Package)
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  数据宽度:16位
  刷新周期:64ms

特性

H57V1262GTB-75C 是一款高性能、低功耗的DRAM存储器芯片,采用了先进的CMOS技术以确保稳定性和可靠性。其主要特性包括高速访问时间7.5ns,支持快速数据读写操作,适用于需要高带宽内存的应用场景。该芯片的电压为3.3V,降低了功耗并提升了能效,同时具备宽温度范围(-40°C 至 +85°C),非常适合工业级环境下的稳定运行。
  此外,H57V1262GTB-75C 采用了TSOP(Thin Small Outline Package)封装技术,这种封装形式不仅体积小、重量轻,而且具有良好的散热性能和电气特性,适合高密度PCB布局。该芯片的64ms刷新周期确保了数据在断电前能够被有效保存,并减少了刷新操作对系统性能的影响。
  该DRAM芯片还具备良好的兼容性,能够与其他主流存储控制器和处理器无缝配合使用,广泛适用于个人计算机、服务器、工业控制系统、嵌入式设备以及其他需要大容量内存的应用场合。

应用

H57V1262GTB-75C 主要用于需要高性能内存的电子设备中。典型应用包括工业控制设备、网络通信设备(如路由器和交换机)、嵌入式系统、视频监控设备、自动化设备以及工业级计算机。由于其具备宽温度范围和高稳定性,特别适用于工作环境较为恶劣的工业现场和户外设备。
  在计算机系统中,该芯片可用于构建高性能内存模块,提升系统运行速度和数据处理能力。在网络设备中,它可以作为缓存或主存储器使用,提高数据转发效率和响应速度。在嵌入式系统中,H57V1262GTB-75C 可为操作系统和应用程序提供足够的运行内存,确保系统稳定运行。
  此外,该芯片也可用于消费类电子产品,如智能电视、多媒体播放器和游戏设备,以提升设备的多任务处理能力和图形处理性能。

替代型号

IS42S16256A-7T、MT48LC16M2A2B4-6A、K4S641632K-TC75

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