H57V1262GTB-75C 时间：2025/9/1 19:16:00 阅读：19

H57V1262GTB-75C 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款存储器芯片采用了先进的制造工艺，具有较高的存储容量和稳定性，适用于对内存性能有较高要求的应用场景。该芯片的具体规格和功能使其成为工业级设备、计算机系统和嵌入式应用的理想选择。

参数

类型：DRAM
　　容量：256MB
　　组织结构：x16
　　速度：-75C（对应访问时间7.5ns）
　　电压：3.3V
　　封装：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　数据宽度：16位
　　刷新周期：64ms

特性

H57V1262GTB-75C 是一款高性能、低功耗的DRAM存储器芯片，采用了先进的CMOS技术以确保稳定性和可靠性。其主要特性包括高速访问时间7.5ns，支持快速数据读写操作，适用于需要高带宽内存的应用场景。该芯片的电压为3.3V，降低了功耗并提升了能效，同时具备宽温度范围（-40°C 至 +85°C），非常适合工业级环境下的稳定运行。
　　此外，H57V1262GTB-75C 采用了TSOP（Thin Small Outline Package）封装技术，这种封装形式不仅体积小、重量轻，而且具有良好的散热性能和电气特性，适合高密度PCB布局。该芯片的64ms刷新周期确保了数据在断电前能够被有效保存，并减少了刷新操作对系统性能的影响。
　　该DRAM芯片还具备良好的兼容性，能够与其他主流存储控制器和处理器无缝配合使用，广泛适用于个人计算机、服务器、工业控制系统、嵌入式设备以及其他需要大容量内存的应用场合。

应用

H57V1262GTB-75C 主要用于需要高性能内存的电子设备中。典型应用包括工业控制设备、网络通信设备（如路由器和交换机）、嵌入式系统、视频监控设备、自动化设备以及工业级计算机。由于其具备宽温度范围和高稳定性，特别适用于工作环境较为恶劣的工业现场和户外设备。
　　在计算机系统中，该芯片可用于构建高性能内存模块，提升系统运行速度和数据处理能力。在网络设备中，它可以作为缓存或主存储器使用，提高数据转发效率和响应速度。在嵌入式系统中，H57V1262GTB-75C 可为操作系统和应用程序提供足够的运行内存，确保系统稳定运行。
　　此外，该芯片也可用于消费类电子产品，如智能电视、多媒体播放器和游戏设备，以提升设备的多任务处理能力和图形处理性能。